[发明专利]基板电镀方法、基板、显示面板、显示装置及电子设备在审

专利信息
申请号: 202210581714.0 申请日: 2022-05-26
公开(公告)号: CN114883252A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 洪裕民 申请(专利权)人: 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 代理人: 胡德平
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电镀 方法 基板 显示 面板 显示装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种基板电镀方法,其特征在于,包括:

在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层;所述基板为透明基板,所述线路图案包括待电镀图案和非电镀图案,所述光阻层包括覆盖所述第一表面的第一牺牲图案、覆盖所述待电镀图案的第二牺牲图案和覆盖所述非电镀图案的第三牺牲图案;

利用所述线路图案作为遮挡,在背离所述第一表面的一侧对所述第一牺牲图案进行曝光处理;

移除所述第二牺牲图案,以暴露所述待电镀图案;

利用所述第一牺牲图案和所述第三牺牲图案作为挡墙,通过电镀工艺对所述基板进行处理,以在暴露的所述待电镀图案上形成电镀层。

2.根据权利要求1所述的基板电镀方法,其特征在于,所述移除所述第二牺牲图案,以暴露所述待电镀图案之前,还包括:

通过曝光工艺对所述第三牺牲图案进行处理。

3.根据权利要求2所述的基板电镀方法,其特征在于,所述移除所述第二牺牲图案,以暴露所述待电镀图案具体包括:

通过显影工艺对所述光阻层进行处理,以移除所述第二牺牲图案而暴露所述待电镀图案。

4.根据权利要求1所述的基板电镀方法,其特征在于,所述移除所述第二牺牲图案,以暴露所述待电镀图案具体包括:

通过曝光工艺对所述第三牺牲图案进行处理;

通过显影工艺对所述光阻层进行处理,以移除所述第二牺牲图案而暴露所述待电镀图案。

5.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法,其特征在于,所述电镀层包括接合层。

6.根据权利要求5所述的基板电镀方法,其特征在于,所述电镀层还包括位于所述待电镀图案和所述接合层之间的金属保护层。

7.根据权利要求6所述的基板电镀方法,其特征在于,所述接合层的厚度为0.001微米至5微米;和/或

所述接合层为抗氧化金属层或合金金属层;和/或

所述金属保护层的厚度为0.01微米至2微米;和/或

所述金属保护层在所述第一表面上的正投影,在与所述接合层在所述第一表面上的正投影重合。

8.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法,其特征在于,所述在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层之前,还包括:

通过电镀工艺对设于所述第一表面的线路图案进行处理,以形成包覆所述线路图案的金属保护层。

9.根据权利要求8所述的基板电镀方法,其特征在于,所述电镀层包括覆设于所述金属保护层上的接合层。

10.根据权利要求9所述的基板电镀方法,其特征在于,所述接合层的厚度为0.001微米至5微米;和/或

所述接合层为抗氧化金属层或合金金属层;和/或

所述金属保护层的厚度为0.01微米至2微米;和/或

所述金属保护层在所述第一表面上的正投影,覆盖与所述接合层在所述第一表面上的正投影。

11.根据权利要求1-4任一项所述的基板电镀方法,其特征在于,所述在基板上设有线路图案的第一表面和所述线路图案背离所述基板的一侧形成光阻层之前,还包括:

在所述第一表面的预设区域形成接著层;所述预设区域为设置所述线路图案的区域;

在所述接著层上形成所述线路图案。

12.根据权利要求11所述的基板电镀方法,其特征在于,所述接著层为金属层、合金金属层、金属氧化物层、非金属氧化物层中的一种;和/或

所述接著层的厚度为10纳米至1000纳米。

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