[发明专利]一种有H2在审

专利信息
申请号: 202210574177.7 申请日: 2022-05-24
公开(公告)号: CN114990012A 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 单丁一;王震;张明月;楼炯耀;李丹萍 申请(专利权)人: 浙江永峰环保科技股份有限公司
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C12N1/02;B01D53/84;B01D53/52;C12R1/01
代理公司: 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人: 唐迅
地址: 315100 浙江省宁波市鄞州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 base sub
【权利要求书】:

1.一种有H2S去除能力的嗜酸硫杆菌,其特征是所述嗜酸硫杆菌是分类命名为:嗜酸硫杆菌YF-ZXU-2021,拉丁文分类命名为:Acidithiobacillus YF-ZXU-2021,菌株保藏于中国典型培养物保藏中心(CCTCC),地址:中国武汉武汉大学,保藏日:2022年3月09日,保藏编号:CCTCC NO: M 2022238。

2.一种根据权利要求1所述的一种有H2S去除能力的嗜酸硫杆菌在去除H2S中的应用。

3.一种用于培养权利要求1所述的一种有H2S去除能力的嗜酸硫杆菌的培养方法,其特征是采用DSM68培养基分离纯化出Acidithiobacillus YF-ZXU-2021;按体积百分比10%的接种量接种至DSM68NS培养基培养瓶中进行密闭培养;定时测定培养瓶中H2S的浓度;接种菌龄采用DSM68培养基培养3天的嗜酸硫杆菌YF-ZXU-2021菌液;培养温度为30-35℃;采用吹氮气的方法去除DSM68NS培养基中的溶解氧。

4.根据权利要求书3所述的一种有H2S去除能力的嗜酸硫杆菌的培养方法,其特征在于所述的DSM68培养基的配方为:KH2PO4,4g;K2HPO4, 4g;MgSO4×7H2O, 0.8 g; NH4Cl, 0.4g;溴甲酚紫,0.5mL;NaS2O3×5H2O,10g;微量与元素溶液5mL;蒸馏水,1000 mL;培养基的pH为6.6-7.0。

5.根据权利要求书3所述的一种有H2S去除能力的嗜酸硫杆菌的培养方法,其特征在于所述的DSM68NS培养基的配方为:KH2PO4,4g;K2HPO4, 4g; MgSO4×7H2O, 0.8 g;NH4Cl,0.4g;KNO3, 60 mg;;确定量的Na2S·H2O;微量与元素溶液5mL;蒸馏水,1000 mL;培养基的pH为6.6-7.0;培养物体积与容器容积比(v/v)为1:5。

6.根据权利要求书4所述的一种有H2S去除能力的嗜酸硫杆菌的培养方法,其特征是在DSM68液体培养基中,所述微量与元素溶液的配方为:Na2-EDTA,50g;ZnSO4·7H2O,22g;CaCl2·2H2O,5.54g;MnCl2·4H2O, 5.06g; FeSO4·7H2O, 5.00g; (NH4)6Mo7O24·4 H2O,1.10g;CuSO4·5 H2O, 1.57g; CoCl2×6 H2O, 1.61g; 蒸馏水,1000 mL;用KOH调pH值至6.0。

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