[发明专利]半导体结构及半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

半导体柱，在所述基底上阵列排布，所述半导体柱具有沟道区以及位于所述沟道区相对两侧的掺杂区；

位线，所述位线在第一方向上延伸，且所述位线将沿所述第一方向排列的一行所述半导体柱侧面包围。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，所述位线将所述半导体柱中的一所述掺杂区的所述半导体柱侧面包围。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述掺杂区指向所述沟道区的方向上，与所述位线接触的所述掺杂区对应的所述半导体柱的尺寸为15mm～40mm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线包括至少一层金属层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述基底为硅基底，所述位线包括：沿远离所述基底方向依次堆叠设置的金属硅化物层、阻挡层以及金属层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为硅化钛、硅化钼、硅化钴或者硅化镍中的任一者，所述阻挡层的材料为氮化钛、钛、氮化钽、钽中的任一者，所述金属层的材料为钨、钼、钛、钴或者钌中的至少一者。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述位线仅包括金属层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述金属包括：钨、钼、钛、钴或者钌中的至少一者。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：字线，所述字线在第二方向上延伸，所述字线将沿所述第二方向排列的一列所述半导体柱侧面包围，且被所述字线包围的所述半导体柱为所述沟道区的半导体柱。

10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成半导体柱，所述半导体柱阵列排布，所述半导体柱具有沟道区以及位于所述沟道区相对两侧的掺杂区；

形成位线，所述位线在第一方向上延伸，且所述位线将沿所述第一方向排列的一行所述半导体柱侧面包围。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，所述位线将所述半导体柱中的一所述掺杂区的所述半导体柱侧面包围。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述掺杂区包括顶部掺杂区以及底部掺杂区，所述底部掺杂区位于所述沟道区朝向所述基底的一侧，在所述底部掺杂区的所述半导体柱侧面形成所述位线。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述底部掺杂区的所述半导体柱侧面形成所述位线工艺方法包括：

形成牺牲层，所述牺牲层将沿所述第一方向排列的一行所述半导体柱中的每一所述底部掺杂区的所述半导体柱侧面包围；

形成第一隔离结构，所述第一隔离结构位于被所述牺牲层暴露出表面的所述半导体柱侧面；

去除所述牺牲层，暴露出所述底部掺杂区的半导体柱侧面；

在所述底部掺杂区的所述半导体柱侧面形成位线。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用沉积工艺形成所述位线。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底为硅基底，所述位线包括：沿远离所述基底方向依次堆叠的金属硅化物层、阻挡层以及金属层。