[发明专利]一种纳米圆柱阵列长波通滤波片在审
| 申请号： | 202210527624.3 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114740561A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈海涛;杨逸飞;钱沁宇;王钦华 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B5/22 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 圆柱 阵列 长波 滤波 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米圆柱阵列长波通滤波片，其特征在于，包括基底，所述基底上刻有纳米圆孔阵列，所述基底上还设有纳米圆柱阵列；所述纳米圆孔阵列中，各纳米圆孔贯穿基底，并成矩形整列排列；所述纳米圆柱阵列中，各纳米圆柱底部插入到基底内，并成矩形整列排列；在垂直所述纳米圆孔的平面上，所述纳米圆孔阵列和所述纳米圆柱阵列在两个方向上分别交错布置。
2.根据权利要求1所述的纳米圆柱阵列长波通滤波片，其特征在于，所述基底材料为SiO2，所述纳米圆柱的材料为GaAs。
3.根据权利要求1或2所述的纳米圆柱阵列长波通滤波片，其特征在于，所述纳米圆孔和所述纳米圆柱的半径r一致，取值范围为25nm-40nm；两纳米圆柱的半间距l取值范围为40nm-60nm，纳米圆柱的高度H取值范围为600-1100nm。
4.根据权利要求3所述的纳米圆柱阵列长波通滤波片，其特征在于，所述纳米圆孔和所述纳米圆柱的半径r＝30nm，两纳米圆柱的半间距l＝50nm，纳米圆柱的高度H＝1000nm。
5.根据权利要求4所述的纳米圆柱阵列长波通滤波片，其特征在于，所述基底的厚度h1为150nm-200nm。
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