[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括第一基板和形成在所述第一基板上的第一金属功能层，所述第一基板设置有开口区和非开口区，所述第一金属功能层包括晶体管的栅极，所述栅极位于所述非开口区，其特征在于，所述阵列基板还包括：

透明导电层，所述透明导电层包括同层设置的缓冲导电部和配向电极部，所述缓冲导电部设于所述栅极和所述第一基板之间，并与所述栅极相接触，所述缓冲导电部和所述第一基板之间的粘附力、所述缓冲导电部和所述栅极之间的粘附力均大于所述栅极和所述第一基板直接接触的粘附力，所述配向电极部至少部分位于所述开口区，所述配向电极部用于提供配向电场；

所述配向电极部的部分完全覆盖所述开口区，所述配向电极部的另一部分覆盖所述非开口区靠近所述开口区的部分区域；

在远端，所述栅极连接所述配向电极部，向所述配向电极部供电。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲导电部在所述第一基板上的正投影面积大于或等于所述栅极在所述第一基板上的正投影面积；且所述栅极在所述第一基板上的正投影位于所述缓冲导电部在所述第一基板上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度与所述第一金属功能层的厚度之比范围为1/13－3/11。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度范围为50nm至130nm；所述第一金属功能层的厚度范围为550nm至650nm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括透明像素电极，所述透明像素电极位于所述第一金属功能层远离所述第一基板的一侧并与所述第一金属功能层绝缘设置，所述透明像素电极包括若干电极条，所述若干电极条间隔设置且位于所述开口区。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属功能层还包括转接电极，所述栅极和所述转接电极同层设置，所述转接电极设于所述配向电极部远离所述第一基板的一侧，且所述转接电极位于所述非开口区；

所述配向电极部在所述第一基板上的正投影面积大于所述转接电极在所述第一基板上的正投影面积。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡层，所述透明导电层的可见光透光率大于90％。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一第一基板，所述第一基板具有开口区和非开口区；

在所述第一基板的表面依次形成覆盖所述开口区和所述非开口区的透明导电薄膜、金属导电薄膜及光刻胶材料，所述透明导电薄膜和所述第一基板之间的粘附力、所述透明导电薄膜和所述金属导电薄膜之间的粘附力均大于所述金属导电薄膜和所述第一基板直接接触的粘附力；

采用半色调光罩曝光所述光刻胶材料，以形成光刻胶层，所述光刻胶层具有未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；

将与所述完全曝光区域对应的金属导电薄膜和透明导电薄膜进行完全刻蚀，以形成透明导电层，所述透明导电层包括位于所述开口区和所述非开口区的配向电极部、以及位于非开口区的缓冲导电部，所述配向电极部用于提供配向电场，所述配向电极部的部分完全覆盖所述开口区，所述配向电极部的另一部分覆盖所述非开口区靠近所述开口区的部分区域；

再将与所述部分曝光区域对应的金属导电薄膜进行完全刻蚀，以形成第一金属功能层，所述第一金属功能层包括栅极和转接电极，所述栅极位于所述非开口区并与所述缓冲导电部接触，所述转接电极位于所述非开口区并与所述配向电极部接触，在远端，所述栅极连接所述转接电极，向所述配向电极部供电；

去除所述未曝光区域的光刻胶。

9.一种显示装置，所述显示装置包括如权利要求1至7中任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板对盒设置的对置基板以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层；其特征在于，

所述对置基板包括第二基板和位于所述第二基板远离所述液晶层一侧的公共电极，所述公共电极的至少部分位于所述开口区并与所述配向电极部相对设置，所述公共电极与所述配向电极部能够施加有不同电压以形成配向电场。