[发明专利]一种提高HIT电池效率的结构和方法

权利要求书

1.一种提高HIT电池效率的结构，包括Al电极（6），其特征在于：

所述Al电极（6）设置在最底部，Al电极（6）的上层连接N型硅片（1），N型硅片（1）的上层连接纳米金（2），纳米金（2）嵌入本征非晶硅层（3），本征非晶硅层（3）的上层连接P型非晶硅层（4），P型非晶硅层（4）的上层连接P型透明导电层（5），P型透明导电层（5）的上层连接Ag电极（7）。

2.根据权利要求1所述的提高HIT电池效率的结构，其特征在于：

所述纳米金（2）的厚度为2nm~5nm，尺寸为百纳米量级；

所述P型透明导电层（5）的材料包括ITO、TCO、IZO；

所述Ag电极（7）的制备方式包括丝网印刷、电子束蒸发、溅射。

3.一种基于权利要求1-2任意一项所述的提高HIT电池效率的结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将N型硅片（1）进行RCA清洗；

S2，在N型硅片（1）的抛光面进行制绒处理；

S3，利用光刻显影技术，在硅片的制绒面定义图形；

S4，利用金属沉积技术，沉积金层；

S5，在剥离掉无用区域的金后，在氮气氛围进行退火处理；

S6，利用PECVD技术，在制绒面沉积10nm本征非晶硅层（3）；

S7，利用PECVD技术，继续沉积10nmP型非晶硅层（4）；

S8，利用介质沉积技术，沉积100nmP型透明导电层（5）；

S9，利用金属沉积技术，制备P面Ag电极（7）和N面Al电极（6）。

4.根据权利要求3所述的提高HIT电池效率的结构的方法，其特征在于：

所述S2具体为，将N型硅片（1）放入KOH溶液中，并将溶液加热到80℃，进行制绒，形成金字塔绒面，陷光并减少表面反射；

所述S3具体为，利用光刻和显影技术，在N型硅片（1）的绒面制备周期为5um、直径为2um的圆形阵列图形；

所述S4具体为，利用电子束蒸发技术，在N型硅片（1）的绒面沉积3nm厚的Au，沉积速率为0.5A/s。

5.根据权利要求3所述的提高HIT电池效率的结构的方法，其特征在于：

所述S5具体为，利用丙酮浸泡的方式，去除非定义区的Au；将晶圆放入到退火炉中进行退火处理，温度为400℃，时间为1min，并在N₂保护氛围中进行；该步骤之后得到纳米金（2）。