[发明专利]一种带隙可调CdS1-X

权利要求书

1.一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器，其特征在于：所述纳米三脚架激光器为纳米三脚架结构，所述纳米三脚架结构靠近三脚架中心部分直接与衬底基板相连接，三条支架从中心向上倾斜生长，其中，X取值为0-1。

2.根据权利要求1所述的一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器，其特征在于：所述纳米三脚架结构的三条支腿为晶格间距相同的同种单晶结构。

3.根据权利要求1所述的一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器，其特征在于：所述纳米三脚架激光器长度为为1~20 μm，直径在300~1000 nm。

4.根据权利要求1所述的一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器，其特征在于：所述CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器，包括从CdS到CdSe的全组分纳米三脚架激光器，PL发光覆盖509 nm~715 nm，瞬态受激辐射发光为520 nm~738 nm。

5.一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

第一步，取纳米锡粉放入长度为74 mm的陶瓷舟中，标记为1号舟；另外取CdS或CdSe或CdS/CdSe混合药品放入长度为74 mm的陶瓷舟中，标记为2号舟；将提前切割的本征Si片经过去离子水超声、烘箱烘干之后放入长度为74 mm的陶瓷舟中，标记为3号舟；

第二步，将第一步所得2号舟推至于单温管式炉加热炉的中心位置，将1号舟推至于进气口与2号舟之间，位于单温管式炉加热区之内，将3号舟推至2号舟与出气口之间，位于单温管式炉样品沉积区内；

第三步，开启真空泵，同时通入微量载气40 min，压力控制阀处于最大通量位置，之后，设定载气流量，调节压力控制阀，使其稳定在特定的压强下，整个单温管式炉30 min内升温至780℃-800℃，维持此温度90 min后停止加热，让其自然冷却至室温，得到纳米三脚架激光器。

6.根据权利要求5所述的一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器的制备方法，其特征在于：第一步中所述所有药品纯度均≧99.999%，1号舟中的纳米锡粉重量为0.035g，2号舟中CdS或CdSe或CdS/CdSe混合药品重量为0.07g，所有的陶瓷舟均在制备之前用去离子水洗净、烘箱烘干之后使用。

7.根据权利要求5所述的一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器的制备方法，其特征在于：第三步中所述微量载气为微量N₂载气80 sccm，在开始升温过程中，设定通入载气120sccm，同时调节压力控制阀使管式炉内压强为220Torr-225Torr。

8.根据权利要求5所述的一种带隙可调CdS_1-XSe_X纳米三脚架激光器的制备方法，其特征在于：第三步中所述升温速率为26℃/min，冷却降温速率为4-7℃/min。