[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的偏振滤波型强度调制器

权利要求书

1.一种基于铌酸锂薄膜的偏振滤波型强度调制器，包括光波导(9)、强度控制中心电极(3)和强度控制地电极(4)，所述的光波导(9)由光波导层(1)制成，光波导层(1)由下至上包括LNOI铌酸锂薄膜以及二氧化硅保护层(5)，其中，所述的LNOI铌酸锂薄膜由下至上包括二氧化硅缓冲层(8)和铌酸锂层(7)，其特征在于：

所述强度调制器集成在同一芯片上，具有滤波和强度调制的功能；

对光波导层(1)进行了改进，改进之处在于，所述的铌酸锂层(7)采用X切Y传型铌酸锂，并在所述铌酸锂层(7)上面采用沉积氮化硅形成氮化硅加载条层(6)；

所述光波导(9)从功能结构上划分为Y波导分束器(10)和Y分支合束器(11)，所述Y波导分束器(10)前端直波导上增加滤波金属银覆层(2)构成具有偏振滤波功能的光波导，经过滤波后的光波由Y波导分束器(10)等分为平行两路波导，强度控制中心电极(3)置于平行两路波导之间，平行两路波导外侧各设置一个强度控制地电极(4)，强度控制中心电极(3)和强度控制地电极(4)构成幅度控制器电极，用于强度调制；两路光经过强度调制后，由Y分支合束器(11)进行合束输出。

2.如权利要求1所述的一种基于铌酸锂薄膜的偏振滤波型强度调制器，其特征在于：氮化硅厚度为350nm。

3.如权利要求1所述的一种基于铌酸锂薄膜的偏振滤波型强度调制器，其特征在于：滤波金属银覆层(2)厚度为14nm。

4.如权利要求1所述的一种基于铌酸锂薄膜的偏振滤波型强度调制器，其特征在于：强度控制中心电极(3)和强度控制地电极(4)的长度均为1.7cm；所述光波导(9)的波导宽度为1.7μm；所述强度控制中心电极(3)与每个强度控制地电极(4)的间距皆为8μm、半波电压为2V。

5.如权利要求1所述的一种基于铌酸锂薄膜的偏振滤波型强度调制器，其特征在于：所述Y波导分束器(10)中采用余弦曲线弯曲由直波导过渡到两路平行波导，所述Y分支合束器(11)中采用余弦曲线弯曲将两路平行波导合束为直波导。