[发明专利]过流检测电路和无线充电装置

说明书

本申请涉及一种过流检测电路。所述过流检测电路包括：通过电位平移电路根据接收到的时序信号生成相应的开关信号；调节电路根据电位平移电路发送的开关信号，调节采样电路的端电压与待测晶体管的端电压保持一致；采样电路在端电压与待测晶体管的端电压保持一致后，对待测晶体管的导通电流进行采样，从而得到采样电流，由于采样电路的端电压与待测晶体管的端电压保持一致，此时采样得到的采样电流可准确指示待测晶体管的导通电流，因此后续基于准确的采样电流与参考信号之间的比较结果可生成较为准确的过流检测信号，以此提高了过流检测结果的准确性，避免产生错误的关断信号影响电能发送电路的正常运行以及电子产品的正常充电过程。

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种过流检测电路和无线充电装置。

背景技术

随着无线充电装置的普及，越来越多的用户选择无线充电装置为电子产品进行充电，无线充电装置是通过其内部的电能发送电路将直流电源进行交直流转换后再通过线圈将电能无线传输至电子产品，目前，无线充电装置中电能发送电路的功率传输一般是由四颗高压N型MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管)管组成的全桥电路来实现。为了电能发送电路和电子产品的安全保护，往往需要对全桥电路的MOS管进行限流保护，因此就需要实时采样MOS管的导通电流，判断其是否超过预设电流，以便及时关闭MOS管保护电能发送电路和电子产品。

而现有技术中对高边高压N型MOS管的导通电流进行采样，由于用于采样电流的采样MOS管的漏端串联有电阻，采样MOS管的采样电流流经电阻会产生压降，导致采样MOS管与高边高压N型MOS管的端电压不相等，此时采样MOS管采集到的采样电流无法准确指示高边高压N型MOS管的导通电流，降低了采样结果的准确性，导致后续可能会根据不准确的采样电流产生错误的关断信号，影响电能发送电路的正常运行以及电子产品的正常充电过程。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种过流检测电路和无线充电装置。

第一方面，本申请提供了一种过流检测电路，包括：

电位平移电路，用于根据接收到的时序信号生成开关信号；

调节电路，分别与所述电位平移电路、采样电路、待测晶体管电性连接，用于根据所述电位平移电路发送的所述开关信号，调节所述采样电路的端电压与所述待测晶体管的端电压保持一致；

所述采样电路与全桥电路中的所述待测晶体管电性连接，用于在所述采样电路的端电压与所述待测晶体管的端电压保持一致时，采样所述待测晶体管的导通电流，得到采样电流；

比较电路，通过所述调节电路与所述采样电路电性连接，用于基于所述采样电流与参考信号的比较结果生成过流检测信号。

可选地，所述采样电路包括隔离电路和采样晶体管，所述隔离电路分别与所述待测晶体管的栅端、所述采样晶体管的栅端电性连；所述采样晶体管的漏端分别与所述待测晶体管的漏端、供电端口电性连接，所述采样晶体管的源端与所述调节电路电性连接；

所述隔离电路用于在检测到驱动信号时短接所述待测晶体管的栅端与所述采样晶体管的栅端，在检测到关断信号时隔离开所述第一晶体管的栅端与所述采样晶体管的栅端；

所述采样晶体管用于在采样所述待测晶体管的导通电流，得到所述采样电流。

可选地，所述隔离电路包括第一隔离晶体管和第二隔离晶体管，所述第一隔离晶体管的漏端与所述待测晶体管的栅端电性连接，所述第一隔离晶体管的栅端与所述采样晶体管的源端电性连接，所述第一隔离晶体管的源端与所述采样晶体管的栅端电性连接；

所述第二隔离晶体管的栅端、源端均与所述采样晶体管的栅端电性连接，所述第二隔离晶体管的漏端与所述采样晶体管的源端电性连接。