[发明专利]导电材料、电子装置及其制作方法

权利要求书

1.一种导电材料，其特征在于，所述导电材料包括离子单体、交联剂、光引发剂、纳米填料以及光吸收剂，其中，所述离子单体包括固态导电离子单体。

2.根据权利要求1所述的导电材料，其特征在于，所述固态导电离子单体包括丙烯酸和氯化胆碱的络合物。

3.根据权利要求1所述的导电材料，其特征在于，所述离子单体占所述导电材料的质量百分比为20～80％。

4.根据权利要求1所述的导电材料，其特征在于，所述交联剂包括聚乙二醇二丙烯酸酯，所述光引发剂包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦，所述纳米填料包括无机蒙脱土或钒石粉中的至少一者，所述光吸收剂包括1-(苯基偶氮)-2-萘酚。

5.根据权利要求1所述的导电材料，其特征在于，所述交联剂占所述导电材料的质量百分比为5～30％，所述光引发剂占所述导电材料的质量百分比为0～5％，所述纳米填料占所述导电材料的质量百分比为3～10％，所述光吸收剂占所述导电材料的质量百分比为0.5～5％。

6.根据权利要求1所述的导电材料，其特征在于，所述纳米填料的粒径为50～500nm。

7.一种电子装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

采用导电材料在所述衬底上形成导电薄膜，所述导电材料包括离子单体、交联剂、光引发剂、纳米填料以及光吸收剂，其中，所述离子单体包括固态导电离子单体。

8.根据权利要求7所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述固态导电离子单体包括丙烯酸和氯化胆碱的络合物，其中，所述离子单体占所述导电材料的质量百分比为20～80％；

所述交联剂包括聚乙二醇二丙烯酸酯，所述光引发剂包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦，所述纳米填料包括无机蒙脱土或钒石粉中的至少一者，所述光吸收剂包括1-(苯基偶氮)-2-萘酚，其中，所述交联剂占所述导电材料的质量百分比为5～30％，所述光引发剂占所述导电材料的质量百分比为0～5％，所述纳米填料占所述导电材料的质量百分比为3～10％，所述光吸收剂占所述导电材料的质量百分比为0.5～5％。

9.根据权利要求7所述的电子装置的制作方法，其特征在于，所述采用导电材料在所述衬底上形成导电薄膜包括以下步骤：

通过3D打印工艺采用所述导电材料在所述衬底上形成所述导电薄膜，其中，所述固态导电离子单体聚合形成固态聚合物骨架结构，且所述纳米填料吸附于所述固态聚合物骨架结构上。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置采用如权利要求7至9任一项所述的电子装置的制作方法制得。