[发明专利]Micro OLED微显示器件的制备方法

说明书

本发明公开了一种Micro OLED微显示器件的制备方法，包括步骤：S1、在硅片基底上制备CMOS驱动电路形成CMOS基板；S2、制备阳极层；S3、制备像素定义层；S4、在像素定义层上制备无机辅助层，无机辅助层上设置第一凹槽；S5、在像素定义层上制备沟槽，沟槽位于第一凹槽的下方且与第一凹槽连通；S6、在像素定义层和无机辅助层上制备OLED膜层，OLED膜层在第一凹槽处断开；S7、在OLED膜层上制备导电层；S8、制备TFE层；S9、依次制备第一OC层、彩胶层和第二OC层，最后在第二OC层上贴合玻璃盖板。本发明的Micro OLED微显示器件的制备方法，可以减轻串光的效应。

技术领域

本发明属于Micro OLED微显示技术领域，具体地说，本发明涉及一种Micro OLED微显示器件的制备方法。

背景技术

在micro OLED的产品中，由于pixel(像素)尺寸较小，OLED材料的蒸镀无法适用FMM(精细金属掩膜版)，所以OLED材料都是整面蒸镀，这样相邻pixel之间的有机层就容易发生电流的相互传输。而有机材料在相邻像素间横向的电流传输，就会导致像素的异常发光，这样就造成串光的现象，导致偏色、色域降低等问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供一种Micro OLED微显示器件的制备方法，目的是减轻串光。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：Micro OLED微显示器件的制备方法，包括步骤：

S1、在硅片基底上制备CMOS驱动电路形成CMOS基板；

S2、在CMOS基板上制备阳极层；

S3、制备像素定义层；

S4、在像素定义层上制备无机辅助层，无机辅助层上设置第一凹槽；

S5、在像素定义层上制备沟槽，沟槽位于第一凹槽的下方且与第一凹槽连通；

S6、在像素定义层和无机辅助层上制备OLED膜层，OLED膜层在第一凹槽处断开；

S7、在OLED膜层上制备导电层；

S8、制备TFE层；

S9、依次制备第一OC层、彩胶层和第二OC层，最后在第二OC层上贴合玻璃盖板。

所述第一凹槽的宽度大于所述OLED膜层厚度的两倍。

所述无机辅助层的材料为SiN、SiO或SiON。

所述无机辅助层的厚度为10nm～100nm。

所述导电层的材料为金属、金属氧化物或导电银胶。

所述导电层的厚度大于所述第一凹槽的宽度的两倍。

本发明的Micro OLED微显示器件的制备方法，通过在PDL顶部设置凹槽结构，使OLED层材料蒸镀后是非连续性的，这样就阻断了有机层在两相邻像素间的横向电流传输，减轻串光的效应。

附图说明

本说明书包括以下附图，所示内容分别是：

图1是阳极层制备结构示意图；

图2是像素定义层制备结构示意图；

图3是无机辅助层制备结构示意图；

图4是沟槽制备结构示意图；

图5是OLED膜层制备结构示意图；

图6是沟槽结构示意图；

图7是导电层制备结构示意图；