[发明专利]基于镂空结构的宽带可调太赫兹超材料吸收器

权利要求书

1.基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，由周期结构组成，其特征在于包括若干在平面上沿同一个方向周期排列的基本单元；每个基本单元包括三层：上层为镂空“王”字形图案石墨烯层，中间为电介质聚酰亚胺层，下层为金属层。

2.实际加工过程为：首先在衬底上形成介质层薄膜，然后在介质层上采用化学方法或物理方法镀一层石墨烯薄膜形成石墨烯层，按照设定的周期和基本单元的个数，通过光刻或电子束曝光对石墨烯进行刻画，去掉多余的石墨烯薄膜，刻蚀出镂空“王”字型石墨烯图案，进而构成具有周期结构的石墨烯层，当所有石墨烯层一次性刻画完毕后，需要在石墨烯层上镀一层导电胶。

3.如权利要求1所述的基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于，所述的每个基本单元对应的镂空王字型石墨烯图案结构相同，其具体结构形状如下：王字型的长为12μm，宽为2μm。

4.如权利要求1所述的基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于所述中间电介质层的材料为聚酰亚胺，所述介质层的厚度h=15~17μm。

5.如权利要求1所述的基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于所述下层为金属层，其厚度为0.1~0.5μm。

6.如权利要求1所述的基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于，所述每个单元结构的周期是 19*19μm。

7.如权利要求1所述的基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于，所述石墨烯的费米能级为0.6eV～1.2eV。

8.根据权利要求1所述的基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于：所述镂空王字型石墨烯(2)为单层原子排列结构。

9.根据权利要求1所述的基于镂空结构的宽带太赫兹超材料吸收器，其特征在于：所述底层金属(4)是为了阻止太赫兹波穿透。