[发明专利]基于由光刻设备或过程特性表征的图案表示来选择该图案在审

专利信息
申请号: 202210228123.5 申请日: 2022-03-07
公开(公告)号: CN115047719A 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 艾曼·哈穆达 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G06N20/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张启程
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 光刻 设备 过程 特性 表征 图案 表示 选择
【权利要求书】:

1.一种针对与半导体制造有关的过程进行图案选择的方法,包括:

获得图案集合;

将所述图案集合中的每个图案表示为表示域中的数据点组,其中,每个数据点表示与在所述图案集合中的给定图案的一部分内的特征相关联的信息;和

基于所述数据点组,从所述图案集合中选择图案子集作为用于所述图案集合中的给定图案与另一图案之间的交互信息的指导。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,与所述特征相关联的信息包括在所述给定图案的所述部分内的像素值。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述给定图案与所述另一图案之间的交互信息的量指示所述给定图案中的与所述另一图案共有的信息的量。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,将每个图案表示为所述表示域中的所述数据点组包括:

使用基函数集合对所述给定图案进行转换,所述基函数集合表征所述表示域。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,在进行转换时,所述数据点组对应于与所述基函数集合相关联的系数集合。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,与所述基函数集合相关联的系数集合对应于所述给定图案的像素的在所述表示域中的地址的集合。

7.根据权利要求4所述的方法,其中,进行转换包括:

在线性表示域中投影所述图案集合中的所述给定图案,其中,所述投影包括:确定表示所述图案集合中的所述给定图案的正交函数集合的线性组合。

8.根据权利要求4所述的方法,其中,所述基函数集合包括以下各项中的至少一项:

厄米高斯模;

泽尼克多项式;或

贝塞尔函数。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述表示域是希尔伯特空间域。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,选择所述图案子集包括:基于所选图案的总熵,从所述图案集合中选择多个图案;将所述总熵确定为与对应于所述图案集合中的每个图案的每个数据点组相关联的信息熵的组合。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,从所述图案集合中选择所述图案子集包括:

从表示所述图案集合的所述组中选择多个组,每个所选组具有距离指标的突破距离阈值的值,所述距离指标指示所选组与表示所述图案集合的所述组中的另一组之间的距离;和

对于所选组,确定所述表示域中的信息熵是否被最大化;

响应于所述信息熵未被最大化,将另一组添加至所选的所述多个组或从所选的所述多个组中移除一组,并且重复这些步骤,直到所述信息熵被最大化;以及

选择与所选的所述多个组相对应的多个图案。

12.根据权利要求1所述的方法,还包括:

基于所述图案子集来训练被配置成确定图案化过程的特性的机器学习模型;

使用所述图案子集来校正非机器学习模型;或

执行对所述图案子集的量测或检查测量。

13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述表示域对应于电磁函数。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述电磁函数是与用于将第一图案集合印制到衬底上的光刻设备的照射源相关联的透射交叉系数(TCC)函数的集合。

15.一种具有指令的非暂时性计算机可读介质,所述指令在被计算机执行时,使所述计算机执行根据权利要求1至14中任一项所述的方法。

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