[发明专利]半导体排列及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体排列，其特征在于，包含：

一记忆体阵列，该记忆体阵列包含多个位元格；以及

一周边逻辑区块，该周边逻辑区块用于存取该些位元格，该周边逻辑区块包含：

一第一纳米结构其具有一第一宽度，该第一纳米结构用以提供电力至该周边逻辑区块的一第一逻辑单元；以及

一第二纳米结构，该第二纳米结构与该第一纳米结构轴向对准，且具有小于该第一宽度的一第二宽度，用以提供电力至该周边逻辑区块的一第二逻辑单元。

2.如权利要求1所述的半导体排列，其特征在于，还包含：

相邻于该第一纳米结构的一第三纳米结构，该第三纳米结构形成于一第一半导体层上方，该第一半导体层具有一第一导电类型，其中：

该第一纳米结构形成于一第二半导体层上方，该第二半导体层具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型。

3.如权利要求2所述的半导体排列，其特征在于，其中：

该第一纳米结构包含一头端晶体管，该头端晶体管包含耦接至一电源端子的一第一栅极以及一第一源极/漏极区；

该第三纳米结构包含一逻辑装置，进而读取储存于该些位元格中的值，该逻辑装置包含一第二栅极以及一第二源极/漏极区；且

该半导体排列包含：

一源极/漏极接点，该源极/漏极接点连接至该第一源极/漏极区以及该第二源极/漏极区，以提供通过该头端晶体管在该电源端子处接收的一电力信号至该逻辑装置。

4.如权利要求2所述的半导体排列，其特征在于，其中：

该第一纳米结构包含一头端晶体管，该头端晶体管包含耦接至一电源端子的一第一栅极以及一第一源极/漏极区；

该第三纳米结构包含一逻辑装置，进而读取储存于该些位元格中的值，该逻辑装置包含一第二栅极以及一第二源极/漏极区；且

该半导体排列包含：

一第一源极/漏极接点，该第一源极/漏极接点连接至该第一源极/漏极区；

一第二源极/漏极接点，该第二源极/漏极接点连接至该第二源极/漏极区；以及

一导电接线，该导电接线连接至该第一源极/漏极接点以及该第二源极/漏极接点，以提供通过该头端晶体管在该电源端子处接收的一电力信号至该逻辑装置。

5.如权利要求1所述的半导体排列，其特征在于，还包含：

一扩散阻断结构，该扩散阻断结构位于该第一纳米结构与该第二纳米结构之间。

6.如权利要求5所述的半导体排列，其特征在于，还包含：

一第一栅极结构，该第一栅极结构位于该第一纳米结构上方；以及

一第二栅极结构，该第二栅极结构位于该第二纳米结构上方，其中：

该扩散阻断结构平行于该第一栅极结构以及该第二栅极结构。

7.一种半导体排列，其特征在于，包含：

一记忆体阵列，该记忆体阵列包含多个位元格；以及

一周边逻辑区块，该周边逻辑区块用于存取该些位元格，包含：

一第一纳米结构其具有一第一宽度，该第一纳米结构用于提供电力至该周边逻辑区块的一第一逻辑单元；

一第二纳米结构其具有小于该第一宽度的一第二宽度，该第二纳米结构用于提供电力至该周边逻辑区块的一第二逻辑单元；

一第三纳米结构，该第三纳米结构具有该第一宽度且相邻于该第一纳米结构；以及

一第四纳米结构，该第四纳米结构具有该第二宽度且相邻于该第二纳米结构。

8.一种半导体排列的形成方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一半导体层上方形成一纳米结构层；以及

图案化该纳米结构层以界定具有一第一宽度的一第一纳米结构以及具有小于该第一宽度的一第二宽度的一第二纳米结构。

9.如权利要求8所述的半导体排列的形成方法，其特征在于，还包含以下步骤：

形成一扩散阻断结构于该第一纳米结构与该第二纳米结构之间。

10.如权利要求9所述的半导体排列的形成方法，其特征在于，还包含以下步骤：

形成一第一栅极结构于该第一纳米结构上方；以及

形成一第二栅极结构于该第二纳米结构上方，其中：

该扩散阻断结构平行于该第一栅极结构以及该第二栅极结构。