[发明专利]一种铝带焊线在封装体内的应用方法及制得的半导体器件

权利要求书

1.一种铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、芯片切割；

步骤S2、芯片与框架焊接；将焊接材料涂于引线框架，将芯片置于焊接材料上方，将芯片与框架烘烤；所述焊接材料包括烧结银银胶或焊锡膏；

步骤S3、将第二管脚与芯片通过至少一条铝带焊线相连接。

2.根据权利要求1所述的铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括如下操作步骤：

A、第二管脚与芯片的通过至少一条铝带焊线连接键合；

所述芯片的源极区域设置有至少一个第一铝带焊接带，通过焊接劈刀将芯片与铝带焊线在所述第一铝带焊接带相连接，为带有菱形花纹的长条状；

所述第二管脚上方设置有至少一个第二铝带焊接带；通过焊接劈刀将第二管脚与铝带焊线在所述第二铝带焊接带相连接；

所述第一铝带焊接带、第二铝带焊接带为带有菱形花纹的长条状；

所述第一铝带焊接带与所述第二铝带焊接带之间的铝带焊线与芯片、框架的距离大于0；

B、第一管脚与芯片的连接键合；将产品放入等离子清洗炉内清洗，将芯片的栅极与第一管脚相连接。

3.根据权利要求2所述的铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，所述第一铝带焊接带沿铝带焊线设置方向的长度大于或等于所述第二铝带焊接带沿铝带焊线设置方向的长度。

4.根据权利要求1所述的铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括如下操作步骤：

A1、第二管脚与芯片通过至少一条铝带焊线连接键合；

所述芯片的源极区域设置有至少一个第一铝带焊接带和至少一个中部铝带焊接带，所述第一铝带焊接带、中部铝带焊接带通过焊接劈刀将芯片与铝带焊线相连接，所述第一铝带焊接带、中部铝带焊接带为带有菱形花纹的长条状；

所述第二管脚上方设置有第二铝带焊接带；所述第二铝带焊接带通过焊接劈刀将第二管脚与铝带焊线相连接，所述第二铝带焊接带为带有菱形花纹的长条状；

所述中部铝带焊接带位于第一铝带焊接带与第二铝带焊接带之间；

所述第一铝带焊接带与所述中部铝带焊接带之间的铝带焊线与芯片、框架的距离大于0；所述第二铝带焊接带与所述中部铝带焊接带之间的铝带焊线与芯片、框架的距离大于0；

B1、第一管脚与芯片的连接键合；

将产品放入等离子清洗炉内清洗，然后将芯片栅极与第一管脚相连接。

5.根据权利要求4所述的铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，所述第一铝带焊接带沿铝带焊线设置方向的长度等于所述中部铝带焊接带沿铝带焊线设置方向的长度大于或等于所述第二铝带焊接带沿铝带焊线设置方向的长度。

6.根据权利要求1所述的铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，所述步骤S3后还包括如下步骤：

步骤S4、塑封；

步骤S5、去溢料；

步骤S6、电镀；

步骤S7、切筋分离成型；

步骤S8、测试及包装。

7.根据权利要求6所述的铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，

所述步骤S4、塑封具体包括如下操作：使用塑封料进行塑封，塑封料出料方向垂直于铝带焊线的设置方向，对产品进行后固化处理；

所述步骤S6、电镀具体包括如下操作：去除框架表面的杂质和氧化物，对框架表面部位轻微腐蚀，框架表面镀上锡层；清洗产品表面的化学残留；进行烘烤；

所述步骤S7、切筋分离成型具体包括如下操作：通过冲切凸模和凹模将产品分离成独立的个体。

8.根据权利要求1所述的铝带焊线在封装体内的应用方法，其特征在于，所述封装包括但不限于DFN/QFN。

9.一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件根据权利要求1-9所述的任一铝带焊线在封装体内的应用方法制备得到。

10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件的导通电阻小于或等于3.5mΩ，最大负载电流大于或等于60A，热阻小于或等于0.79℃/W。