[发明专利]显示面板及其制备方法在审
| 申请号: | 202210173397.9 | 申请日: | 2022-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN114566462A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
| 发明(设计)人: | 姜宝来 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/78;H01L25/16;H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法,所述方法包括以下步骤:提供一基板,所述基板上制备有薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上制备出纵横交错的围坝;在所述基板的焊盘上焊接LED芯片;在所述围坝上涂布封装胶水,烘烤后形成封装层,且所述封装层与所述围坝之间形成空气柱;以及切割所述基板,切割时产生的胶水炭化物被吹至切割沟道之外,形成平滑切割面。本申请的技术效果在于提高显示面板的切割良率。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
Mini/Micro LED显示具有自发光、高效率、低功耗、高稳定等特性,是下一代主流显示技术的重要选择,在众多领域均有替代现有技术的潜力。
由于LED芯片表面需要一层封装胶,所述封装胶用于增强LED芯片与基板之间的推拉力及耐水氧等性能,封装胶多为硅胶或环氧树脂,对于玻璃基mini/microled显示面板,切割时无法使用刀轮切割,激光切割为目前主流的切割方法,由于激光脉冲时间短,激光脉冲的峰值能量极高,对于一些高分子聚合物,切割热影响区会导致聚合物碳化,副产物残留在切割沟道内会阻止激光对下层膜层的切割,进而导致切入玻璃深度过浅,裂片过程发生崩边、裂纹等,影响产品良率。
发明内容
本申请的目的在于,提供一种显示面板及其制备方法,可以解决现有的显示面板切割过程中对玻璃切割深度过浅,裂片过程发生崩边、裂纹等技术问题。
为实现上述目的,本申请提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:提供一基板,所述基板上制备有薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上制备出纵横交错的围坝;在所述基板的焊盘上焊接LED芯片;在所述围坝上涂布封装胶水,烘烤后形成封装层,且所述封装层与所述围坝之间形成空气柱;以及切割所述基板,切割时产生的胶水炭化物被吹至切割沟道之外,形成平滑切割面。
进一步地,所述围坝通过黄光工艺制作而成;所述围坝的材质包括硅的氮化物、硅的氧化物、高分子聚合物中的一种。
进一步地,所述在所述基板的焊盘上焊接LED芯片的步骤包括:在所述基板的焊盘上刷锡膏;采用固晶机将LED芯片逐个放置于所述焊盘的中间位置上;对所述LED芯片进行回流焊处理。
进一步地,所述围坝包括若干纵横交错的条状物以及所述若干纵横交错的条状物之间形成的中空区域;所述空气柱形成于所述中空区域内。
进一步地,所述切割所述基板,切割时产生的胶水炭化物被吹至切割沟道之外,形成平滑切割面的步骤中,采用激光器对所述基板进行激光切割,在所述激光切割的过程中,所述封装层会产生胶水炭化物,所述胶水炭化物附着于所述封装层和/或所述围坝上;在所述激光切割的过程中,所述空气柱受热后膨胀,去除所述空气柱表面的封装层的同时吹走了所述胶水炭化物,形成切割沟道。
进一步地,所述在所述薄膜晶体管上制备出纵横交错的围坝的步骤中,所述围坝设于所述基板的切割区域;所述围坝与所述基板之间的夹角角度为0~180°。
进一步地,所述围坝靠近所述封装层的一侧到远离所述封装层的一侧之间的间距为1~100微米。
进一步地,所述激光器的紫外光源的波长为343纳米~10640纳米。
进一步地,所述激光器包括纳秒激光器、飞秒激光器、皮秒激光器。
为实现上述目的,本申请还提供一种显示面板,由如前文所述的显示面板的制备方法制备而成。
本申请的技术效果在于,在薄膜晶体管上设置围坝,围坝与封装层之间会形成空气柱,空气柱受热膨胀后会吹走生成的胶水炭化物,并且保证对玻璃基板的切割深度,便于形成平滑的切割面,提高显示面板的良率。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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