[发明专利]一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法有效
| 申请号： | 202210156844.X | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114289420B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王增奎;金虎;邓科文;常博文 | 申请（专利权）人： | 常州二维碳素科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/032 | 分类号： | B08B9/032;C01B32/186 |
| 代理公司： | 常州易瑞智新专利代理事务所(普通合伙) 32338 | 代理人： | 孙盼盼 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 生长 石墨 烯粉体中进 气管 内壁 去除 方法 | ||
1.一种CVD生长石墨烯粉体中进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将石墨进气管插入液态金属中，然后通过石墨进气管向液态金属中通入含碳源气体/氮气的混合气体，在所述液态金属中生长石墨烯粉体，所述石墨烯粉体连续生长预定时间后，断开含碳源气体，氮气流量保持不变，暂停石墨烯粉体生长；
所述步骤S1中，将石墨进气管通过升降装置插入液态铜中，然后通过石墨进气管向液态铜中通入甲烷/氮气的混合气体，在所述液态铜中生长石墨烯粉体，所述石墨烯粉体连续生长8-12h后，断开甲烷，氮气流量保持不变，暂停石墨烯粉体生长；
S2、调整熔融液态金属的温度；
S3、将石墨进气管的出气口移出液态金属的液面，然后向石墨进气管内通入氧气/氮气混合气体；
所述石墨进气管的出气口移出液态铜液面的距离为0.5～25cm，停留5s～8min后，向石墨进气管通入氧气/氮气混合气体；
S4、所述氧气/氮气混合气体通入设定时间后，断开氧气，氮气流量保持不变，降温。
2.根据权利要求1所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过调节加热功率，使液态铜温度处于1100℃～1600℃。
3.根据权利要求2所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述液态铜的温度为1150℃～1400℃。
4.根据权利要求1所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述步骤S3中，氧气/氮气混合气体替换为氢气/氮气混合气体或者二氧化碳/氮气混合气体。
5.根据权利要求1所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述石墨进气管的出气口移出液态铜液面的距离为0.5～10cm，停留时间为20s～5min。
6.根据权利要求1所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述步骤S3中，氧气/氮气混合气体中的氧气流量为0.1～10SLM。
7.根据权利要求1所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述步骤S4中，氧气/氮气混合气体通入20s～10min后，断开氧气，氮气流量保持不变，降温。
8.根据权利要求7所述的进气管内壁积碳去除方法，其特征在于，所述步骤S4中，氧气/氮气混合气体通入时间为20s～6min。
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