[发明专利]改善晶圆接触孔线宽均一性的方法在审

申请号：	202210154839.5	申请日：	2022-02-21
公开（公告）号：	CN114695079A	公开（公告）日：	2022-07-01
发明（设计）人：	阚琎;昂开渠	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/768
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	刘昌荣
地址：	201203***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	改善接触孔线宽均一方法
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【说明书】：

本发明提供一种改善晶圆接触孔线宽均一性的方法，提供多个衬底，每个衬底上均形成有由下而上的抗反射涂层和光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得抗反射涂层裸露；将多个衬底中的其中一个设置于刻蚀机内的刻蚀腔，在刻蚀腔内通入刻蚀气体，利用刻蚀气体对衬底的裸露部分进行刻蚀；持续获取刻蚀腔内刻蚀气体的剩余量，得到其剩余量数据；提供刻蚀气体的剩余量的阈值范围，在刻蚀腔内通入清洁气体，并根据剩余量数据调节清洁气体的流量，使得刻蚀气体的剩余量处于阈值范围内；利用不同流量清洁气体进行腔体清洁后对多个衬底中剩余的每一个分别进行刻蚀。本发明采用不同流量O2进行腔体清洁，从而改善晶圆和晶圆间接触孔刻蚀线宽的均一性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善晶圆间接触孔线宽均一性的方法。

背景技术

接触孔刻蚀作为连接器件和后段铜线互联间的桥梁，对于线宽的要求也越发严格。接触孔刻蚀线宽偏大，容易导致钨导线直接与栅极侧壁连接发生短路。线宽偏小会导致部分接触孔刻蚀不完全，影响钨填充，接触孔断路。接触孔刻蚀通常采用含氟气体作为主要刻蚀气体，前片晶圆刻蚀完成后的氟残留会对后片晶圆接触孔顶部的抗反射涂层(Barc/Darc)产生刻蚀，扩大接触孔开口，影响最终线宽，如图1所示。

现有晶圆片间清洁条件(固定O2流量)清洁腔体后刻蚀气体残留存在差异，导致晶圆与晶圆间线宽波动较大，不利于量产管控。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善晶圆间接触孔线宽均一性的方法，用于解决现有技术中现有片间清洁条件清洁腔体后刻蚀气体残留存在差异，导致晶圆与晶圆间线宽波动较大，不利于量产管控的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善晶圆间接触孔线宽均一性的方法，包括：

步骤一、提供多个衬底，每个所述衬底上均形成有由下而上的抗反射涂层和光刻胶层，光刻打开所述光刻胶层使得所述抗反射涂层裸露；

步骤二、将多个所述衬底中的其中一个设置于刻蚀机内的刻蚀腔，并在所述刻蚀腔内通入刻蚀气体，利用所述刻蚀气体对一个所述衬底的裸露部分进行刻蚀；

步骤三、持续获取所述刻蚀腔内所述刻蚀气体的剩余量，得到其剩余量数据；

步骤四、提供所述刻蚀气体剩余量的阈值范围，在所述刻蚀腔内通入清洁气体，并根据所述剩余量数据调节所述清洁气体的流量，使得通入所述清洁气体后的所述刻蚀腔中的所述刻蚀气体的剩余量处于所述阈值范围内；

步骤五、重复步骤三至步骤四，直到刻蚀完全部所述衬底为止。

优选地，步骤一中的所述抗反射涂层为底部抗反射涂层。

优选地，步骤二中的所述刻蚀气体为含氟气体。

优选地，步骤二中的所述刻蚀气体为F2。