[发明专利]屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件

权利要求书

1.一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底，所述衬底上形成有第一导电类型的外延层；

沟槽，位于所述外延层内，且沿所述外延层的厚度方向延伸，所述沟槽内设置有屏蔽栅及位于所述屏蔽栅的两侧的浮空栅，其中，所述屏蔽栅在所述沟槽的竖直方向具有第一延伸长度，所述浮空栅在所述沟槽的竖直方向具有第二延伸长度，所述第二延伸长度小于所述第一延伸长度；以及，

介质层，位于所述沟槽的内部，将所述屏蔽栅、所述浮空栅与所述外延层彼此隔离。

2.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述浮空栅在所述沟槽的竖直方向平行于所述屏蔽栅。

3.根据权利要求2所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述浮空栅对称设置于所述屏蔽栅的两侧。

4.根据权利要求3所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述第二延伸长度与所述第一延伸长度的比例为1/12~2/3。

5.根据权利要求4所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述屏蔽栅的底部与所述屏蔽栅的顶部相对于所述浮空栅均有部分外露。

6.根据权利要求1-5任一项所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述浮空栅与所述屏蔽栅之间的介质层在所述沟槽的水平方向具有第一厚度，所述浮空栅与所述浮空栅所在一侧的沟槽的侧壁之间的介质层在所述沟槽的水平方向具有第二厚度，所述第二厚度小于或等于所述第一厚度。

7.根据权利要求6所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述第二厚度与所述第一厚度的比例为1/5~1。

8.根据权利要求1所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽内还设置有栅极，所述栅极和所述屏蔽栅为上下结构，或者所述栅极和所述屏蔽栅为左右结构。

9.根据权利要求1-5、7-8任一项所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，还包括：

第二导电类型的体区，位于所述沟槽的顶部两侧的所述第一导电类型的外延层内；

第一导电类型的源区，位于所述沟槽的顶部两侧，且位于所述第二导电类型的体区的上方。

10.根据权利要求9所述的屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于，还包括：

栅极金属，与所述栅极连接；

源极金属，与所述第二导电类型的体区、所述第一导电类型的源区及所述屏蔽栅连接；

漏极金属，位于所述第一导电类型的衬底的下表面。