[发明专利]一种电极的制备方法和太阳能电池的制备方法在审

专利信息
申请号: 202210129940.5 申请日: 2022-02-11
公开(公告)号: CN114420796A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 符欣;张鑫义;周肃;龚道仁;徐晓华;张良 申请(专利权)人: 安徽华晟新能源科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 薛异荣
地址: 242000 安徽省宣*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 电极 制备 方法 太阳能电池
【说明书】:

发明提供一种电极的制备方法和太阳能电池的制备方法,电极的制备方法包括:提供半导体衬底层,还包括:采用电镀工艺在所述半导体衬底层的至少一侧形成副栅线电极;采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层形成有所述副栅线电极的一侧形成主栅线电极,所述主栅线电极与所述副栅线电极电学连接。主栅线电极通过丝网印刷工艺形成,主栅线电极具有一定的宽度能提供较大的焊盘点,提供较好的焊接拉力,有利于组件互连。电镀工艺形成的副栅线电极宽度比通过丝网印刷工艺形成的副栅线电极更窄,使副栅线电极对太阳光的遮挡少。副栅线电极采用电镀工艺形成,比较有利于形成不含银的副栅线电极,能够降低电极的成本。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种电极的制备方法和太阳能电池的制备方法。

背景技术

太阳能电池是基于光生伏特效应,将太阳能直接转化成电能的装置。目前,晶体硅太阳能电池是光伏工业的主流,占据80%以上的市场。异质结(HeteroJunction withintrinsic Thin layer,简称HJT)电池是一种重要的太阳能电池,异质结结构就是以N型单晶硅衬底为中心,在N型单晶硅衬底的两侧设有P型非晶硅层和N型非晶硅层,异质结结构具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性,使用异质结结构制备电池是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。异质结电池制备完成后,可以通过将多个电池片互联形成组件,最终实现电能的利用。

异质结太阳能电池除了上述的PN结,还包括用于收集电流的透明导电膜和电流引出的金属栅线,即在异质结结构的P型非晶硅层和N型非晶硅层的两侧分别形成透明导电膜,然后在透明导电膜上形成栅线。现有技术太阳能电池的金属栅线通过丝网印刷方式印刷低温导电银浆,并进行表干和固化,形成电极。然而,低温导电银浆成本较高,以166mm的M6单片电池为例,制备金属栅线需要消耗200mg以上的银浆,占到了太阳能电池非硅成本的40%以上。

事实上,除异质结太阳能电池之外,目前其他类型的太阳能电池也需要设置栅线作为电极来引出电流,栅线通常为价格昂贵的银料,造成太阳能电池的成本居高不下,进而对太阳能电池的推广造成阻碍。可见,在太阳能电池领域,现有技术提供的电极的成本有待进一步降低。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中提供的电极的成本有待进一步降低的问题,从而提供一种电极的制备方法和太阳能电池的制备方法。

本发明提供一种电极的制备方法,包括:提供半导体衬底层,还包括:采用电镀工艺在所述半导体衬底层的至少一侧形成副栅线电极;采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层形成有所述副栅线电极的一侧形成主栅线电极,所述主栅线电极与所述副栅线电极电学连接。

可选的,在形成所述副栅线电极之前,还包括:在所述半导体衬底层的至少一侧形成掩膜层,所述掩膜层的图形对应着无需形成所述副栅线电极的区域;形成副栅线电极为,以所述掩膜层为掩膜进行电镀工艺,在所述半导体衬底层的至少一侧形成副栅线电极,所述副栅线电极与所述掩膜层的图形在所述半导体衬底层的一侧面互补;形成所述副栅线电极之后、形成所述主栅线电极之前,去除所述掩膜层。

可选的,形成所述掩膜层的工艺包括喷墨打印工艺。

可选的,所述掩膜层的材料包括石蜡。

可选的,所述主栅线电极的材料包括银合金。

可选的,去除所述掩膜层的工艺包括热处理工艺或者化学剥离工艺。

可选的,所述热处理工艺的温度为50℃~150℃。

可选的,当去除所述掩膜层采用化学剥离工艺时,去除所述掩膜层使用的剥离液包括氢氧化钠溶液或者氢氧化钾溶液。

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