[发明专利]一种电极的制备方法和太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种电极的制备方法，包括：提供半导体衬底层，其特征在于，还包括：

采用电镀工艺在所述半导体衬底层的至少一侧形成副栅线电极；

采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层形成有所述副栅线电极的一侧形成主栅线电极，所述主栅线电极与所述副栅线电极电学连接。

2.根据权利要求1所述的电极的制备方法，其特征在于，在形成所述副栅线电极之前，还包括：在所述半导体衬底层的至少一侧形成掩膜层，所述掩膜层的图形对应着无需形成所述副栅线电极的区域；

形成副栅线电极为，以所述掩膜层为掩膜进行电镀工艺，在所述半导体衬底层的至少一侧形成副栅线电极，所述副栅线电极与所述掩膜层的图形在所述半导体衬底层的一侧面互补；

形成所述副栅线电极之后、形成所述主栅线电极之前，去除所述掩膜层；

优选的，形成所述掩膜层的工艺包括喷墨打印工艺；

优选的，所述掩膜层的材料包括石蜡；

优选的，所述主栅线电极的材料包括银合金；

优选的，去除所述掩膜层的工艺包括热处理工艺或者化学剥离工艺；

优选的，所述热处理工艺的温度为50℃～150℃；

优选的，当去除所述掩膜层采用化学剥离工艺时，去除所述掩膜层使用的剥离液包括氢氧化钠溶液或者氢氧化钾溶液。

3.根据权利要求2所述的电极的制备方法，其特征在于，还包括：形成所述掩膜层之前，在所述半导体衬底层的至少一侧形成整面的种子层；

形成掩膜层的步骤为：在所述种子层背离所述半导体衬底层的一侧采用成膜工艺形成所述掩膜层；

形成副栅线电极的步骤为：在所述掩膜层暴露出的种子层的表面电镀副栅线电极；

所述电极的制备方法还包括：去除所述掩膜层之后、形成所述主栅线电极之前，去除不包含所述副栅线电极遮挡的部分所述种子层。

4.根据权利要求3所述的电极的制备方法，其特征在于，形成种子层的步骤包括：在所述半导体衬底层的一侧形成整面的第一种子层，和/或在所述半导体衬底层的另一侧形成整面的第二种子层；

相应的，形成掩膜层的步骤包括：在无需形成所述副栅线电极的部分所述第一种子层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第一掩膜层，和/或在无需形成所述副栅线电极的部分所述第二种子层背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第二掩膜层；

在所述掩膜层暴露出的种子层的表面电镀副栅线电极步骤包括：在所述第一掩膜层暴露出的所述第一种子层的表面电镀第一副栅线电极，和/或在所述第二掩膜层暴露出的所述第二种子层的表面电镀第二副栅线电极；

去除所述掩膜层的步骤包括：形成所述第一副栅线电极之后，去除所述第一掩膜层，和/或形成所述第二副栅线电极之后去除所述第二掩膜层；

去除不包含所述副栅线电极遮挡的部分所述种子层的步骤包括：去除所述第一掩膜层之后去除不包含所述第一副栅线电极遮挡的部分所述第一种子层，和/或去除所述第二掩膜层之后去除不包含所述第二副栅线电极遮挡的部分所述第二种子层；

形成主栅线电极的步骤包括：采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层形成有所述第一副栅线电极的一侧形成第一主栅线电极，和/或采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层形成有所述第二副栅线电极的一侧形成第二主栅线电极，所述第一主栅线电极与所述第一副栅线电极电学连接，所述第二主栅线电极与所述第二副栅线电极电学连接。

5.根据权利要求3所述的电极的制备方法，其特征在于，形成所述种子层的工艺包括电镀工艺；

优选的，所述种子层的材料包括铜或镍；

优选的，所述种子层的厚度为50nm～150nm；

优选的，去除不包含所述副栅线电极遮挡的部分所述种子层的工艺包括化学剥离工艺；

优选的，去除不包含所述副栅线电极遮挡的部分所述种子层使用的化学剥离工艺中的剥离液包括氢氧化钠溶液或者氢氧化钾溶液；

优选的，所述化学剥离工艺包括喷淋工艺。