[发明专利]集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，包括：

形成晶体管的源极/漏极区；

在所述源极/漏极区上方形成第一层间电介质；

在所述源极/漏极区上方形成下部源极/漏极接触插塞，并且所述下部源极/漏极接触插塞电耦合至所述源极/漏极区，其中，所述下部源极/漏极接触插塞延伸至所述第一层间电介质中；

在所述第一层间电介质和所述下部源极/漏极接触插塞上方沉积蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方沉积第二层间电介质；

执行刻蚀工艺以蚀刻所述第二层间电介质、所述蚀刻停止层和所述第一层间电介质的上部来形成开口，并且所述下部源极/漏极接触插塞的顶表面和侧壁暴露至所述开口；以及

在所述开口中形成上部接触插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下部源极/漏极接触插塞包括：

扩散阻挡件；以及

金属材料，在所述扩散阻挡件上，其中，在所述蚀刻工艺期间，蚀刻所述扩散阻挡件的部分以暴露所述金属材料的垂直侧壁。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用包括含氟和碳的气体的工艺气体来蚀刻所述蚀刻停止层和所述第一层间电介质的所述上部。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，使用包括所述含氟和碳的气体和H₂O的所述工艺气体还蚀刻所述扩散阻挡件。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述上部接触插塞之后，执行注入工艺以注入所述第二层间电介质。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用包括Ge、Xe、Ar、Si或其组合的掺杂剂来执行所述注入工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层间电介质具有厚度，并且所述开口延伸到所述第一层间电介质中至深度，并且其中，所述深度与所述厚度的比率在0.1和0.5之间的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用相同的蚀刻掩模来蚀刻所述第二层间电介质和所述第一层间电介质的所述上部。

9.一种集成电路结构，包括：

栅极堆叠件，位于半导体区域上方；

源极/漏极区，在所述栅极堆叠件一侧上；

源极/漏极硅化物区，位于所述源极/漏极区上方；

第一层间电介质，位于所述源极/漏极硅化物区上方；

下部源极/漏极接触插塞，位于所述源极/漏极硅化物区上方并且接触所述源极/漏极硅化物区；

蚀刻停止层，位于所述第一层间电介质和所述下部源极/漏极接触插塞上方；

第二层间电介质，位于所述蚀刻停止层上方；以及

上部源极/漏极接触插塞，贯穿所述第二层间电介质和所述蚀刻停止层，并且延伸至所述第一层间电介质的上部中，其中，所述上部源极/漏极接触插塞的第一侧壁接触所述下部源极/漏极接触插塞的第二侧壁。

10.一种集成电路结构，包括：

半导体区域；

源极/漏极区，延伸至所述半导体区域中；

第一层间电介质，位于所述源极/漏极区上方；

第一源极/漏极接触插塞，位于所述源极/漏极区上方并且电耦合至所述源极/漏极区，其中，所述第一源极/漏极接触插塞包括：

金属区；

金属氮化物层，具有环绕所述金属区的第一部分；以及

金属层，具有环绕所述金属氮化物层的第二部分；以及

第二源极/漏极接触插塞包括：

第一侧壁，与所述金属区的第二侧壁物理接触以形成垂直界面；以及

底部边缘，与所述金属氮化物层和所述金属层的顶部边缘物理接触。