[发明专利]充电管理电路以及包含其的充电电路

权利要求书

1.一种充电管理电路，其特征在于，所述充电管理电路与反激电路连接，所述反激电路用于向负载充电，变压器的初级侧包括与初级线圈串联的第一开关器件，次级侧包括NMOS管；

所述充电管理电路用于检测所述NMOS管的漏极与源极之间的第一电压以及栅极与源极之间的第二电压，并在所述第一电压大于第一阈值且所述第二电压大于第二阈值的情况下输出第一保护信号和第二保护信号，所述第一保护信号用于指示所述第一开关器件断开，所述第二保护信号用于指示所述NMOS管断开；

其中，所述第一阈值基于所述NMOS管断开时初级侧的电压、所述变压器的变比以及所述反激电路的输出电压确定，所述第二阈值基于所述NMOS管的开启电压确定。

2.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于，所述反激电路具体用于通过第二开关器件向所述负载充电；

所述充电管理电路还用于在所述第一电压大于第一阈值且所述第二电压大于第二阈值的情况下控制所述第二开关器件断开。

3.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于，所述充电管理电路与所述负载连接，用于控制所述反激电路向所述负载输出的功率，并在所述第一电压小于第三阈值且所述第二电压小于第四阈值的情况下降低向所述负载输出的功率；其中，所述第三阈值基于所述NMOS管内置二极管的导通压降确定，所述第四阈值基于所述NMOS管的开启电压确定。

4.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于，所述反激电路的次级侧还包括SR控制芯片；

所述充电管理电路包括PD协议控制芯片，用于检测所述NMOS管的漏极与源极之间的第一电压以及栅极与源极之间的第二电压，并在所述第一电压大于第一阈值且所述第二电压大于第二阈值的情况下向所述SR控制芯片输出所述第二保护信号；

所述SR控制芯片用于向所述NMOS管的栅极发送控制信号，并在接收到所述第二保护信号的情况下控制所述NMOS管断开。

5.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于，所述充电管理电路包括PD协议控制芯片，用于向所述NMOS管的栅极发送控制信号，并检测所述NMOS管的漏极与源极之间的第一电压以及栅极与源极之间的第二电压。

6.如权利要求4或5所述的充电管理电路，其特征在于，所述PD协议控制芯片还用于在所述第一电压大于第一阈值且所述第二电压大于第二阈值的情况下广播信息，所述信息用于指示充电发生异常和/或充电发生异常的原因。

7.如权利要求4或5所述的充电管理电路，其特征在于，所述PD协议控制芯片包括控制单元、第一比较器、第二比较器、与门、开关；

所述第一比较器的同相输入端分别与所述第一电压以及开关的一端连接，反相输入端连接所述第一阈值的电压，输出端与所述与门的第一输入端连接；所述开关的另一端接地；

所述第二比较器的同相输入端连接所述第二电压，反相输入端连接所述第二阈值的电压，输出端与所述与门的第二输入端连接；

所述控制单元与所述与门的输出端连接，并在检测到所述与门输出高电平信号的情况下控制所述开关闭合，以使所述NMOS管断开；以及输出所述第一保护信号。

8.一种充电电路，其特征在于，包括反激电路和如权利要求1-7中任一项所述的充电管理电路，所述反激电路与所述充电管理电路连接。

9.如权利要求8所述的充电电路，其特征在于，所述反激电路的次级侧中，电容的一端与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的源极和次级线圈的一端连接，所述次级线圈的另一端与所述电容的另一端均接地；其中，所述次级线圈的一端与初级线圈中与第一开关器件连接的一端为同名端。

10.如权利要求8所述的充电电路，其特征在于，所述反激电路的次级侧中，电容的一端与次级线圈的一端连接，所述次级线圈的另一端与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的源极和所述电容的另一端均接地；其中，所述次级线圈的另一端与初级线圈中与第一开关器件连接的一端为同名端。