[发明专利]半导体芯片制造方法

说明书

本发明实施例公开了一种半导体芯片制造方法，所述制作方法包括：形成一个由至少两个晶圆层层叠形成的晶圆组；在所述晶圆组的至少一个表面形成具有切割图案的遮罩层；沿所述切割图案，同步切割所述晶圆组中的至少两个晶圆层。

本申请是针对申请日为2019年03月29日、申请号为201910248959.X、发明名称为“半导体芯片制造方法”的专利的分案申请。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种半导体芯片制造方法。

背景技术

在集成电路产业中，通常需要将形成有电路元件结构的晶圆切割成单独的芯片，然后将这些芯片做成功能不同的半导体封装结构，其中，对晶圆的切割质量直接影响芯片的成品率。现有切割技术的切割质量差，且容易造成芯片破损，降低芯片成品率。因此，需要提供一种能提高切割效率和芯片成品率的半导体芯片制造方法。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种半导体芯片制造方法，包括：

形成一个由至少两个晶圆层层叠形成的晶圆组；

在所述晶圆组的至少一个表面形成具有切割图案的遮罩层；

沿所述切割图案，同步切割所述晶圆组中的至少两个晶圆层。

可选地，所述在所述晶圆组的至少一个表面形成具有切割图案的遮罩层，包括以下至少之一：

在所述晶圆组的第一表面形成具有切割图案的第一遮罩层；

在所述晶圆组的第二表面形成具有切割图案的第二遮罩层，其中，所述第二表面为所述第一表面的相反面。

可选地，所述切割图案包括：

用于同时切割至少两个晶圆层的第一类切割通道；

用于单独切割一个晶圆层的第二类切割通道。

可选地，所述沿所述切割图案，同步切割所述晶圆组中的至少两个晶圆层，包括：

沿所述切割图案，利用等离子体刻蚀穿透晶圆组；

或，

沿所述切割图案，利用等离子体刻蚀切割所述晶圆组的第一部分；在晶圆组的表面施加压力使得所述晶圆组与所述第一部分对应的第二部分分离。

可选地，在所述利用等离子体刻蚀穿透晶圆组之后，

或，

在所述晶圆组与所述第一部分对应的第二部分分离之后，

分离不同所述晶圆层。

可选地，所述在所述晶圆组的至少一个表面形成具有切割图案的遮罩层，包括：

在所述晶圆组的至少一个表面形成阻挡层；

在所述阻挡层的表面涂覆光刻胶；

在所述光刻胶上形成切割图案。

可选地，所述方法还包括：

在所述沿所述切割图案，同步切割所述晶圆组中的至少两个晶圆层之后，去除晶圆组表面的遮罩层。

可选地，产生所述等离子体的气体包括以下至少之一：氧气、氮气、氯基气体、氟基气体、惰性气体。

可选地，所述阻挡层的材料包括以下至少之一：不定性碳、氮氧化硅、氮化硅。