[发明专利]一种PVD设备镀铜膜工艺在审
| 申请号: | 202210050445.5 | 申请日: | 2022-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN114427080A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
| 发明(设计)人: | 雷杨 | 申请(专利权)人: | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 pvd 设备 镀铜 工艺 | ||
1.一种PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述PVD设备包括清洗机、干燥腔、辅助成膜腔、第一镀铜成膜腔、第二镀铜成膜腔;
所述PVD设备镀铜膜工艺包括如下步骤:
步骤S1,将经过所述清洗机清洗后的基板传递给所述干燥腔;
步骤S2,待所述基板在所述干燥腔内烘干后,将所述基板传递至所述辅助成膜腔内,以在所述基板表面上形成辅助膜层;
步骤S3,待所述辅助膜层制备完毕后,将所述基板从所述辅助成膜腔传递至所述第一镀铜成膜腔内,再从所述第一镀铜成膜腔传递至所述第二镀铜成膜腔内,以使所述基板在所述第二镀铜成膜腔溅射铜膜;
步骤S4,在所述第二镀铜成膜腔处于维修阶段或铜靶材耗尽的情况下,将所述基板从所述辅助成膜腔或所述第二镀铜成膜腔传递至所述第一镀铜成膜腔内,以使所述基板在所述第一镀铜成膜腔溅射铜膜。
2.根据权利要求1所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述PVD设备镀铜膜工艺还包括:
在所述第二镀铜成膜腔处于维修或更换靶材的阶段的情况下,所述第一镀铜成膜腔对所述基板溅射铜膜;
在所述第一镀铜成膜腔对所述基板溅射完铜膜后,将所述基板从所述第一镀铜成膜腔输出。
3.根据权利要求2所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述PVD设备镀铜膜工艺还包括:
将未在所述第二镀铜成膜腔中溅射铜膜的所述基板从所述第二镀铜成膜腔传递至所述第一镀铜成膜腔内;
在所述第一镀铜成膜腔对所述基板溅射完铜膜后,将所述基板从所述第一镀铜成膜腔输出。
4.根据权利要求2所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述PVD设备镀铜膜工艺还包括:
在所述第二镀铜成膜腔更换靶材后,将未在所述第一镀铜成膜腔中溅射铜膜的所述基板从所述第一镀铜成膜腔传递至所述第二镀铜成膜腔,以在所述第二镀铜成膜腔溅射铜膜;
在所述第二镀铜成膜腔对所述基板溅射完铜膜后,将所述基板从所述第二镀铜成膜腔传递至所述第一镀铜成膜腔,接着从所述第一镀铜成膜腔输出。
5.根据权利要求1所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述步骤S3中,在所述第二镀铜成膜腔对所述基板溅射完铜膜后,将所述基板从所述第二镀铜成膜腔传递至所述第一镀铜成膜腔,接着将所述基板从所述第一镀铜成膜腔输出。
6.根据权利要求5所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述步骤S3包括:
将所述基板传递至所述第一镀铜成膜腔内,并传递到所述第二镀铜成膜腔内,以在所述第二镀铜成膜腔溅射预设厚度的铜膜。
7.根据权利要求5所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述步骤S3包括:
将所述基板传递至所述第一镀铜成膜腔内,在所述第一镀铜成膜腔溅射第一预设厚度的铜膜;
将包括所述第一预设厚度的一部分铜膜的所述基板传递到所述第二镀铜成膜腔内,以在所述第二镀铜成膜腔溅射第二预设厚度的铜膜。
8.根据权利要求1所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述辅助膜层的材料为钼、钛、铬、钨和钽中的一种材料或一种材料以上的组合材料。
9.根据权利要求1所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述PVD设备还包括传输设备,所述传输设备设置于所述清洗机与所述干燥腔之间,所述传输设备包括自动引导车;
所述步骤S1包括:
将经过所述清洗机清洗后的基板通过所述自动引导车传递给所述干燥腔。
10.根据权利要求9所述的PVD设备镀铜膜工艺,其特征在于,所述PVD设备还包括真空切换设备,所述真空切换设备用于向所述干燥腔、所述辅助成膜腔、所述第一镀铜成膜腔、所述第二镀铜成膜腔中的任意一者抽真空或注入空气。
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