[发明专利]新型化合物、包含其的前体组合物和利用其的薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种化合物，其由以下化学式1表示：

[化学式1]

所述化学式1中，

M为Mn、Fe、Co、Ni或Cu；

R₁和R₂各自独立地为氢或碳原子数1至4的直链状或支链状烷基；

L为-OR₃或-NR₄R₅；

R₃为氢或碳原子数1至4的直链状或支链状烷基；

R₄和R₅各自独立地为氢、碳原子数1至4的直链状或支链状烷基、或碳原子数1至6的直链状或支链状烷基甲硅烷基。

2.根据权利要求1所述的化合物，R₁、R₂和R₃各自独立地为选自由氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基组成的组中的任一种。

3.根据权利要求1所述的化合物，R₄和R₅各自独立地为选自由氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、甲基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基和三乙基甲硅烷基组成的组中的任一种。

4.一种气相蒸镀用前体组合物，其包含权利要求1至3中任一项所述的化合物。

5.一种薄膜的制造方法，其包括将权利要求4所述的气相蒸镀用前体组合物导入至腔室的步骤。

6.根据权利要求5所述的薄膜的制造方法，所述薄膜的制造方法包括原子层蒸镀法ALD或化学气相蒸镀法CVD。

7.根据权利要求5所述的薄膜的制造方法，其进一步包括注入选自氢(H₂)、含氧(O)原子化合物、含氮(N)原子化合物或含硅(Si)原子化合物中的任一种以上作为反应气体的步骤。

8.根据权利要求7所述的薄膜的制造方法，所述反应气体为选自水(H₂O)、氧(O₂)、氢(H₂)、臭氧(O₃)、氨(NH₃)、联氨(N₂H₄)和硅烷中的任一种以上。

9.一种薄膜，其利用权利要求4所述的气相蒸镀用前体组合物来制造。