[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 202180050391.6 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115956297B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 太田朋成;田口晶英;中山佑介;中村浩尚 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，
具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有：
半导体衬底，由硅构成，包含第1导电型的杂质；
低浓度杂质层，在上述半导体衬底上与其相接而形成，包含比上述半导体衬底的上述第1导电型的杂质的浓度低浓度的上述第1导电型的杂质；
与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层的表面；
上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域的表面；
源极电极，与上述源极区域电连接；
多个沟槽，在与上述半导体衬底的上表面平行的第1方向上延伸，并且在与上述第1方向正交的第2方向上等间隔地从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通而形成到直至上述低浓度杂质层的一部分为止的深度；
栅极绝缘膜，以将上述多个沟槽的表面的至少一部分覆盖的方式形成；
栅极导体，形成在上述栅极绝缘膜上；以及
连接部，将上述体区域与上述源极电极电连接；
上述半导体衬底和上述低浓度杂质层的一部分作为上述纵型场效应晶体管的漏极区域发挥功能；
在上述纵型场效应晶体管中，在上述第1方向上交替且周期性地设置有上述源极区域和上述连接部；
设上述第1方向上的1个上述源极区域的长度为LS[μm]，设上述第1方向上的1个上述连接部的长度为LB[μm]，则
LS相对于LB的比为1/7以上且1/3以下；
设上述纵型场效应晶体管的阈值为Vth[V]，设以上述源极电极的电位为基准向上述栅极导体施加的12V以下的电压为VGS[V]，
设LB≤－0.024×(VGS)2+0.633×VGS－0.721成立的VGS为VGSy[V]，
则VGSy－Vth≥2.0V的关系成立。
2.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，
具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有：
半导体衬底，由硅构成，包含第1导电型的杂质；
低浓度杂质层，在上述半导体衬底上与其相接而形成，包含比上述半导体衬底的上述第1导电型的杂质的浓度低浓度的上述第1导电型的杂质；
与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成在上述低浓度杂质层的表面；
上述第1导电型的源极区域，形成在上述体区域的表面；
源极电极，与上述源极区域电连接；
多个沟槽，在与上述半导体衬底的上表面平行的第1方向上延伸，并且在与上述第1方向正交的第2方向上等间隔地从上述低浓度杂质层的上表面将上述体区域贯通而形成到直至上述低浓度杂质层的一部分为止的深度；
栅极绝缘膜，以将上述多个沟槽的表面的至少一部分覆盖的方式形成；
栅极导体，形成在上述栅极绝缘膜上；以及
连接部，将上述体区域与上述源极电极电连接；
上述半导体衬底和上述低浓度杂质层的一部分作为上述纵型场效应晶体管的漏极区域发挥功能；
在上述纵型场效应晶体管中，在上述第1方向上交替且周期性地设置有上述源极区域和上述连接部；
设上述第1方向上的1个上述源极区域的长度为LS[μm]，设上述第1方向上的1个上述连接部的长度为LB[μm]，则
LS相对于LB的比为1/7以上且1/3以下；
设以上述源极电极的电位为基准向上述栅极导体施加了12V以下的电压VGS[V]时从上述漏极区域向上述源极区域流动的电流为IDS[A]，设LB≤－0.024×(VGS)2+0.633×VGS－0.721成立的VGS为VGSy[V]，则VGS≥VGSy时的IDS的基于VGS的微分值在上述纵型场效应晶体管不至于损坏的范围内比0.1A/V小。
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