[发明专利]有机电场发光元件在审

专利信息
申请号: 202180022981.8 申请日: 2021-03-19
公开(公告)号: CN115298846A 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 浮海智;多田匡志;井上栋智;寺田绚香;木寺纱友里 申请(专利权)人: 日铁化学材料株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;C09K11/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 牛芬洁;黄健
地址: 日本东京中央*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 电场 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种有机电场发光元件,其在相向的阳极与阴极之间包含一个以上的发光层,所述有机电场发光元件的特征在于:至少一个发光层含有选自下述通式(1)所表示的化合物中的第一主体与选自下述通式(2)所表示的化合物中的第二主体,且含有下述通式(3)所表示的多环芳香族化合物或具有所述通式(3)所表示的结构作为部分结构的多环芳香族化合物作为发光性掺杂剂。

[化1]

此处,Z为通式(1a)所表示的含有吲哚并咔唑环的基,*为与L1的键结位置,

环A为式(1b)所表示的杂环,环A与所邻接的环在任意位置缩合;

L1与L2分别独立地为经取代或未经取代的碳数6~30的芳香族烃基、或者经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基,

Ar1与Ar2分别独立地为经取代或未经取代的碳数6~30的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基、或者这些的2个~8个连结而成的连结芳香族基;

R1分别独立地为碳数1~10的脂肪族烃基、经取代或未经取代的碳数6~18的芳香族烃基、或者经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基;

a表示1~3的整数,b表示0~3的整数,c及d分别独立地表示0~4的整数,e表示0~2的整数,f表示0~3的整数;

[化2]

此处,X1分别独立地表示N或CH,至少一个X1表示N;

Ar3分别独立地表示经取代或未经取代的碳数6~18的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基、或者这些的芳香族环的2个~8个连结而构成的连结芳香族基;

[化3]

此处,C环、D环、及E环分别独立地为经取代或未经取代的碳数6~24的芳香族烃环或者经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环,

Y4为B、P、P=O、P=S、Al、Ga、As、Si-R4或Ge-R5

R4及R5分别独立地为碳数1~10的脂肪族烃基、经取代或未经取代的碳数6~18的芳香族烃基、或者经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基,

X4分别独立地为O、N-Ar4、S或Se,

Ar4分别独立地为经取代或未经取代的碳数6~18的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基、或者这些的2个~8个连结而成的连结芳香族基,N-Ar4可与C环、D环、或E环的任一者键结而形成包含N的杂环,

R3分别独立地表示氰基、重氢、碳数12~44的二芳基氨基、碳数12~44的芳基杂芳基氨基、碳数12~44的二杂芳基氨基、碳数1~10的脂肪族烃基、经取代或未经取代的碳数6~18的芳香族烃基、或者经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基,

C环、D环、E环、R3、R4、R5及Ar4中的至少一个氢可经卤素或重氢取代;

v分别独立地表示0~4的整数,x表示0~3的整数。

2.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其特征在于具有所述通式(3)所表示的结构作为部分结构的多环芳香族化合物为下述通式(4)所表示的多环芳香族化合物。

[化4]

此处,F环、G环、H环、I环及J环分别独立地为经取代或未经取代的碳数6~24的芳香族烃环、或者经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环,X4、Y4、R3、x及v与通式(3)为相同含义,w表示0~4的整数,y表示0~3的整数,z表示0~2的整数;

F环、G环、H环、I环及J环中的至少一个氢可经卤素或重氢取代。

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