[发明专利]超结选通AlGaN GaN HEMT

权利要求书

1.一种场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：

源极和漏极，使得所述源极和所述漏极位于沿竖直方向的一位置处的水平面处；

栅极，使得所述栅极沿所述竖直方向位于比源极和漏极水平面更高的水平面处；

第一区域，所述第一区域位于所述源极和漏极水平面下方，使得所述第一区域包括第一III族氮化物III-N层、所述第一III-N层上的第二III-N层；以及

第二区域，该第二区域位于所述栅极下方，使得所述第二区域包括第一III-N层、所述第一III-N层上的第二III-N层以及所述第二III-N层上的第三III-N层，其中，所述第三III-N层在沿所述场效应晶体管的宽度的选择性位置处延伸穿过所述第二III-N层并延伸到所述第一III-N层的一部分中，其中，所述第三III-N层为P型掺杂的，并且所述第一III-N层和所述第二III-N层为非故意掺杂的。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第一区域包括：

基底层；

所述基底层上的缓冲层，其中，所述第一III族氮化物III-N层位于所述缓冲层上，并且

其中，所述栅极下方的所述第二区域包括：

基底层；

所述基底层上的缓冲层，其中，所述第一III族氮化物III-N层位于所述缓冲层上。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二III-N层是Al_xIn_yGa_1-x-yN，使得x和y的值在0和1之间(0≦x≦1)，(0≦y≦1)，其中，所述第一III-N层和所述第三III-N层是氮化镓GaN。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第二III-N层的自发极化电荷高于所述第一III-N层的自发极化电荷。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第一III-N层的竖直厚度大于所述第二III-N层的竖直厚度。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述第一III-N层的竖直厚度比所述第二III-N层的竖直厚度厚10倍，或者所述第一III-N层的竖直厚度比所述第二III-N层的竖直厚度厚1000％。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述源极和所述栅极之间的间隙距离以及所述栅极和所述漏极之间的间隙距离是对称的或非对称的中的一者。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极和所述漏极之间的间隙距离与所述场效应晶体管的击穿电压相关。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，在选择性位置处延伸穿过所述第二III-N层并延伸到所述第一III-N层的所述一部分中的所述第三III-N层具有轮廓，使得所述轮廓具有竖直轮廓长度和轮廓宽度。

10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，选定位置的每个轮廓均包括恒定轮廓宽度、可变轮廓宽度、恒定竖直轮廓长度或可变竖直轮廓长度中的一者或其组合。

11.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，所述轮廓形成图案，使得所述轮廓的轮廓宽度沿从所述场效应晶体管的第一宽度端到第二宽度端的方向增加，从而产生比所述场效应晶体管的具有恒定轮廓宽度的轮廓高的线性度。

12.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，每个轮廓均沿所述场效应晶体管的宽度等距间隔。

13.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，每个轮廓均不等距间隔，并沿所述场效应晶体管的宽度变更。