[发明专利]抽吸检测电路及其装置

权利要求书

1.一种电子装置，包括第一信号发生器和第二信号发生器，其中所述第一信号发生器是参考信号发生器，包括：

第一电容器，其是连接在中间节点和电路接地之间的参考电容器，和

与所述第一电容器并联连接的补偿装置；

第一充放电电路，其被配置为重复地对所述第一电容器充电和放电，由此生成具有第一频率的第一脉冲串，所述第一频率是对应于第一脉冲计数的参考频率，所述第一脉冲计数是参考脉冲计数；和

其中所述第一充放电电路包括第一充电电路部分，其被配置为向所述中间节点提供第一电流，从而对所述第一电容器充电；

其中所述第二信号发生器是检测信号发生器，包括：

输入节点，其被配置为电连接到作为第二电容器的电容传感器，

二极管，其连接在所述输入节点处，以用作ESD二极管以提供静电放电保护，

第二充放电电路，其被配置为重复地对所述第二电容器充电和放电，由此当所述电容传感器连接到所述第二信号发生器时生成具有第二频率的第二脉冲串，所述第二频率是对应于第二脉冲计数的检测频率，所述第二脉冲计数是检测脉冲计数；和

其中所述补偿装置被配置为提供漏电流路径，使得所述第一电流的小部分在所述第一充电电路部分的充电循环期间将作为补偿漏电流流入所述补偿装置，以减轻由所述第二信号发生器的操作温度变化导致的所述ESD二极管的漏电流变化所产生的误差。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置被配置为在包括100摄氏度及以上的、高操作温度范围内操作，其中所述ESD二极管具有漏电流与温度的变化趋势，其中所述补偿装置在所述高操作温度范围内的漏电流与温度的变化趋势遵循所述ESD二极管的漏电流与温度的变化趋势。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述补偿装置具有半导体p-n结，所述半导体p-n结被配置为在所述第一充电电路部分处于对所述第一电容器充电期间的充电循环中时在反向偏置下操作。

4.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述补偿装置被配置为二极管，所述二极管的阴极连接到所述中间节点，且所述二极管的阳极连接到所述电路接地。

5.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述补偿装置和所述ESD二极管以单片方式形成在单个半导体芯片上。

6.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述补偿装置被配置为使得在高于100摄氏度的高操作温度下，所述ESD二极管的漏电流是所述补偿装置的补偿漏电流的n倍，n为1到10之间的正实数，包括1、2、3、4、5、6、7、8、9、10以及选自所述值的任意组合的一个或多个范围。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述补偿装置包括具有第一p-n结面积的p-n结，并且所述ESD二极管具有第二p-n结面积，并且其中所述第二p-n结面积是所述第一p-n结面积的n倍。

8.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述第二充放电电路包括第二充电电路部分，所述第二充电电路部分被配置为向所述输入节点供应第二电流，由此对作为感测电容器的所述第二电容器充电，所述第二电流是所述第一电流的m倍，并且m为1到10之间的正实数，包括1、2、3、4、5、6、7、8、9、10以及选自所述值的任意组合的一个或多个范围。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一充电电路部分包括具有第一p-n结面积的第一电流源，并且其中所述第二充电电路部分包括具有第二p-n结面积的第二电流源，所述第二p-n结面积是所述第一p-n结面积的m倍。

10.在从属于权利要求6时根据权利要求8或9所述的装置，其中m是n的±5％、±10％、±15％或±20％；或n是m的±5％、±10％、±15％或±20％。