[发明专利]用于在形成半导体设备中形成电介质层的方法

说明书

提供了用于形成3D存储器设备的方法。方法包括以下操作。在阶梯区域和阵列区域中形成堆叠结构。在阵列区域和阶梯区域上方形成电介质材料层。在电介质材料层上方涂覆蚀刻掩模层。在远离电介质材料层的第一表面上平坦化蚀刻掩模层。蚀刻电介质材料层和所述蚀刻掩模层的剩余部分以在阶梯区域和阵列区域上方形成电介质层。

技术领域

本公开内容涉及半导体制造方法。

背景技术

在半导体设备的形成中，蚀刻和抛光工艺通常用于减小材料的厚度。蚀刻是指可从晶圆去除材料的任何工艺。化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，CMP，又名化学机械平坦化)是一种结合化学蚀刻和无磨料机械抛光使晶圆表面平滑的工艺。为了平坦化具有不平坦表面的材料，可以将蚀刻和抛光工艺组合以产生期望厚度的材料。

发明内容

在一方面，提供了一种用于形成三维(3D)存储器设备的方法。所述方法包括：在阶梯区域和阵列区域中形成堆叠结构；在所述阵列区域和所述阶梯区域上方形成电介质材料层；在所述电介质材料层上方涂覆蚀刻掩模层；在远离所述电介质材料层的第一表面上抛光所述蚀刻掩模层；以及蚀刻所述电介质材料层并蚀刻所述蚀刻掩模层的剩余部分以在所述阶梯区域和所述阵列区域上方形成电介质层。

在另一方面，提供了一种用于形成3D存储器设备的方法。所述方法包括：在阶梯区域和阵列区域中形成堆叠结构；在所述阵列区域和所述阶梯区域上方形成电介质材料层；在所述电介质材料层的在所述阶梯区域上方的部分上方形成蚀刻掩模部分；以及蚀刻所述电介质材料层和所述蚀刻掩模部分以在所述阶梯区域和所述阵列区域上方形成电介质层。

附图说明

并入本文并形成说明书一部分的附图示出了本公开内容的实施例，并且附图与说明书一起进一步用于解释本公开内容并且使得相关领域技术人员能够做出和使用本发明。

图1示出了根据本公开内容一些方面的具有多个3D存储器设备芯片的示例性晶圆的平面图。

图2A-2C示出了用于形成3D存储器设备的制造过程。

图2D和图2E各自示出了3D存储器设备在不同制造阶段的截面图。

图3A-3C示出了根据本公开内容一些方面的用于形成3D存储器设备的示例性制造过程。

图3D示出了根据本公开内容一些方面的3D存储器设备在制造阶段的截面图。

图4示出了根据本公开内容一些方面的示例性3D存储器设备。

图5是根据本公开内容一些方面的用于形成3D存储器设备的示例性方法的流程图。

具体实施方式

尽管讨论了具体的配置和布置，但应该理解，这仅仅是为了说明的目的而进行的。因此，在不脱离本公开内容的范围的情况下，可以使用其他配置和布置。此外，本公开内容还可以用于各种其他应用。本公开内容中描述的功能和结构特征可以彼此以未在附图中具体示出的方式组合、调整和修改，使得这些组合、调整和修改在本公开内容的范围内。

通常，可以至少部分地从上下文中的用法理解术语。例如，至少部分取决于上下文，本文所使用的术语“一个或多个”可用于以单数意义描述任何特征、结构或特性，或可用于以复数意义描述特征、结构或特性的组合。类似地，至少部分取决于上下文，诸如“一”、“一个”或“所述”之类的术语同样可以被理解为表达单数用法或表达复数用法。另外，术语“基于”可以被理解为不一定旨在表达排他性的因素集合，而是可以允许存在不一定明确描述的其他因素，这同样至少部分地取决于上下文。