[实用新型]晶圆加工设备

说明书

本实用新型提供了一种晶圆加工设备。该晶圆加工设备包括反应腔室；所述反应腔室设有支撑座、加工机构和加热机构，所述支撑座用于承载晶圆，所述加工机构用于对晶圆进行加工，所述加热机构用于对晶圆进行加热；所述反应腔室设有保温层。本实用新型的晶圆加工设备通过设置所述支撑座对所述晶圆进行支撑，提供晶圆加工的平台，通过设置所述加工机构对晶圆进行加工，提供加工晶圆的必要条件，通过设置所述加热机构对反应腔室进行加热，保证晶圆加工的温度，同时设置所述保温层提升反应腔室的保温效果，降低在晶圆加工过程中进行降温处理能够带走的热量，降低热量散失。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种晶圆加工设备。

背景技术

晶圆处理被用于通过技术来处理半导体，所述技术包括：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition， CVD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)、等离子体增强原子层沉积(Plasma enhancedatomic layer deposition，PEALD)、脉冲沉积层(Pulse deposition layer，PDL)、分子层沉积(Molecular layer deposition，MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(Plasma enhancedpulsed deposition layer，PEPDL)处理、蚀刻和抗蚀剂去除等。

晶圆在加工时需要进行加热处理，且温度较高。为了避免高温损坏设备内的其他结构，往往需要在设备内进行降温处理。但是伴随着降温处理的进行，会导致腔体内部温度会有较大流失，影响加工工艺的正常运行，使得加工时需要耗费较多的热量，且存在热量流失大的问题。

因此，需要设计一种即能够防止高温损坏设备内结构、又能够降低热量使用量或降低热量流失的晶圆加工设备。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆加工设备，通过在反应腔室内设置保温层，降低降温处理过程能够带走的热量，减少腔体内温度流失，进而改善现有技术中热量使用量高或热量流失大的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了晶圆加工设备，包括反应腔室；所述反应腔室设有支撑座、加工机构和加热机构，所述支撑座用于承载晶圆，所述加工机构用于对晶圆进行加工，所述加热机构用于对晶圆进行加热；所述反应腔室设有保温层。

本实用新型的晶圆加工设备的有益效果在于：通过设置所述支撑座对所述晶圆进行支撑，提供晶圆加工的平台，通过设置所述加工机构对晶圆进行加工，提供加工晶圆的必要条件，通过设置所述加热机构对反应腔室进行加热，保证晶圆加工的温度，同时设置所述保温层提升反应腔室的保温效果，降低在晶圆加工过程中进行降温处理能够带走的热量，降低热量散失。

在一种可行的方案中，所述保温层为陶瓷材料制成。其有益效果在于：通常晶圆加工设备的主要组成材料为金属，将所述保温层设置为陶瓷材料，能够借助所述陶瓷材料的导热率低于金属的特性，防止热量向外部散失，也能够减少降温处理的冷却液流经保温层能够带走的热量，提升保热效果。

在一种可行的方案中，所述保温层包括第一保温部，所述第一保温部设置于所述反应腔室的底面。其有益效果在于：这样设置能够提升所述反应腔室的底面的保温效果。

在一种可行的方案中，所述保温层还包括第二保温部，所述第二保温部设置于所述反应腔室的侧面。其有益效果在于：这样设置能够提升所述反应腔室的侧面的保温效果。