[实用新型]密封装置及长晶炉有效
| 申请号: | 202123303779.9 | 申请日: | 2021-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN216639716U | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
| 发明(设计)人: | 李宪宾;鲍慧强;王增泽;刘振洲;井琳;刘冬冬;刘素娟;李龙远;葛明明;赵然 | 申请(专利权)人: | 国宏中宇科技发展有限公司 |
| 主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/36;F16J15/06 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 吴瑛 |
| 地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 密封 装置 长晶炉 | ||
本实用新型涉及晶体生长设备领域,公开了一种密封装置及长晶炉,所述密封装置包括基座和端盖,基座设有具备开口的容置腔室,端盖用于封闭或打开开口,基座和端盖中的一者设有多个电磁体,基座和端盖中的另一者设有与多个电磁体配合的多个铁磁体,多个铁磁体与多个电磁体一一对应设置并均匀环绕开口,基座和端盖中的一者还设有环绕开口的密封圈。通过上述技术方案,在基座和端盖分别设置多个电磁体和多个铁磁体,从而通过电磁体与铁磁体的吸附力使端盖封闭开口,并快速的压紧环绕开口的密封圈以实现密封,省时省力,且在端盖封闭开口时,由于多个铁磁体与多个电磁体均匀环绕开口,因此密封圈受力均匀,不会产生密封不牢靠的情况。
技术领域
本实用新型涉及晶体生长设备领域,具体地涉及一种密封装置及长晶炉。
背景技术
长晶炉是用于人工合成晶体的设备。在利用长晶炉获取碳化硅晶体时,首先需要将高纯碳化硅粉料置于密闭的石墨坩埚中,而后将密闭的石墨坩埚放入长晶炉的腔体内,利用真空泵对腔体抽取真空后通入定量惰性气体,然后通过感应线圈实现石墨坩埚的感应加热以合成碳化硅晶体。而在晶体合成的过程中,长晶炉腔体的密封程度会直接影响晶体生长品质,目前是在石墨坩埚放入腔体后,将长晶炉的端盖与炉体盖合,然后人工对连接两者的多个螺栓进行紧固,以使端盖与炉体压紧两者之间的密封圈,从而实现密封。但是这种人工操作的方式耗时较长且浪费人力,同时存在多个螺栓的紧固力不同而导致密封圈受力不均匀,进而产生密封不牢靠的情况。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术存在的长晶炉采用人工紧固螺栓的方式实现密封,存在耗时较长、浪费人力且密封不牢靠的问题,提供一种密封装置及长晶炉。
为了实现上述目的,本实用新型一方面提供一种密封装置,包括基座和端盖,所述基座设有具备开口的容置腔室,所述端盖用于封闭或打开所述开口,所述基座和所述端盖中的一者设有多个电磁体,所述基座和所述端盖中的另一者设有与所述多个电磁体配合的多个铁磁体,多个所述铁磁体与多个所述电磁体一一对应设置并均匀环绕所述开口,所述基座和所述端盖中的一者还设有环绕所述开口的密封圈。
优选地,多个所述铁磁体和所述密封圈设置在所述基座上,多个所述电磁体设置在所述端盖上。
优选地,所述电磁体为嵌设在所述端盖表面的电控永磁吸盘,所述铁磁体为嵌设在所述基座表面的衔铁。
优选地,所述基座包括基座本体、上法兰和下法兰,所述开口设置在基座本体上,所述上法兰设置在所述基座本体设有所述开口的一端,且多个所述铁磁体和所述密封圈均设置在所述上法兰上,所述下法兰设置在所述基座本体异于设有所述开口的一端,所述上法兰和所述下法兰通过多个支撑杆相连,且多个所述支撑杆环绕所述基座本体排布。
优选地,所述密封装置还包括控制器,所述控制器与多个所述电磁体相连,以用于向多个所述电磁体提供正向或反向电流。
优选地,所述控制器设有充磁按钮,所述充磁按钮用于在受压时向多个所述电磁体提供1s-1.5s正向电流,以使多个所述电磁体充磁;和/或
所述控制器设有退磁按钮,所述退磁按钮用于在受压时向多个所述电磁体提供1s-1.5s反向电流,以使多个所述电磁体退磁。
优选地,所述端盖设有与多个所述电磁体相连的插座头,所述控制器通过线缆与所述插座头相连,且所述控制器设有启动开关。
优选地,所述基座和所述端盖中的一者设有定位销,所述基座和所述端盖中的另一者设有与所述定位销配合的定位孔。
优选地,所述端盖设有与所述开口对应的测温窗口。
本实用新型另一方面提供一种长晶炉,包括以上所述的密封装置。
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