[实用新型]一种切相调光电路及调光器有效
| 申请号: | 202123247885.X | 申请日: | 2021-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN216752163U | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
| 发明(设计)人: | 彭庆 | 申请(专利权)人: | 江西嘉捷鑫源科技有限公司 |
| 主分类号: | H05B45/30 | 分类号: | H05B45/30;H05B45/50;H05B45/3725;H05B45/10 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 于波 |
| 地址: | 330117 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 调光 电路 调光器 | ||
1.一种切相调光电路,用于串联在光源负载电路与交流电源之间,其特征在于,包括:第一双向可控硅、第二双向可控硅、双向可控硅控制电路;
所述第一双向可控硅和所述第二双向可控硅并联连接,所述第一双向可控硅的T1极和所述第二双向可控硅的T1极均与交流电源的第一输入电源端相连,所述第一双向可控硅的T2极和所述第二双向可控硅的T2极均通过光源负载与交流电源的第二输入电源端相连;
所述双向可控硅控制电路的第一端与所述第一双向可控硅的控制极相连,所述双向可控硅控制电路的第二端与所述第二双向可控硅的控制极相连;
所述第一双向可控硅的维持电流为第一电流I1,所述第二双向可控硅的维持电流为第二电流I2、其通态电流有效值为第三电流I3,所述第一电流I1大于所述第二电流I2,所述第一电流I1小于或等于所述第三电流I3;
其中,所述双向可控硅控制电路用于接收调光挡位指令,并能够根据所述调光挡位指令控制所述第一双向可控硅和所述第二双向可控硅中的至少一个导通。
2.根据权利要求1所述的切相调光电路,其特征在于,当所述调光挡位指令对应的调光挡位处于第一挡位区间时,所述双向可控硅控制电路控制所述第二双向可控硅导通对光源负载进行调光,流经光源负载的电流有效值大于或等于所述第二电流I2且小于所述第一电流I1;当所述调光挡位指令对应的调光挡位处于第二挡位区间时,所述双向可控硅控制电路控制所述第一双向可控硅导通对光源负载进行调光并控制所述第二双向可控硅关断,流经光源负载的电流有效值大于所述第三电流I3。
3.根据权利要求1所述的切相调光电路,其特征在于,所述切相调光电路还包括过流保护装置;
所述过流保护装置和所述第二双向可控硅组成串联电路,该串联电路与所述第一双向可控硅并联连接;
当流经所述过流保护装置的电流大于预设电流值时,所述过流保护装置断开,进而所述第二双向可控硅断开。
4.根据权利要求1所述的切相调光电路,其特征在于,所述双向可控硅控制电路包括电位器RP、电阻R1、电容C1,双向触发二极管KS1,双向触发二极管KS2;
所述电位器RP、所述电阻R1和所述电容C1依次串联连接,所述双向可控硅控制电路的第一端和第二端设置在所述电阻R1和所述电容C1之间,所述双向可控硅控制电路的第一端通过双向触发二极管KS1与所述第一双向可控硅的控制极相连,所述双向可控硅控制电路的第二端通过双向触发二极管KS2与所述第二双向可控硅的控制极相连。
5.根据权利要求1所述的切相调光电路,其特征在于,所述切相调光电路还包括电流检测装置;
所述电流检测装置用于检测流经光源负载的电流值,并将该电流值传输给所述双向可控硅控制电路。
6.根据权利要求2所述的切相调光电路,其特征在于,所述切相调光电路还包括电流检测装置;
所述电流检测装置用于检测流经光源负载的电流值,并将该电流值传输给所述双向可控硅控制电路。
7.根据权利要求1、2、3、5或6中任一项所述的切相调光电路,其特征在于,所述双向可控硅控制电路包括MCU;
所述MCU的第一端与所述第一双向可控硅的控制极相连,控制所述第一双向可控硅的关断或导通;所述MCU的第二端与所述第二双向可控硅的控制极相连,控制所述第二双向可控硅的关断或导通。
8.一种调光器,其特征在于,所述调光器具有权利要求1-7中任一项所述切相调光电路,所述调光器设置有第一挡位区间和第二挡位区间。
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