[实用新型]硅片氧化膜成型设备有效
| 申请号: | 202123111282.7 | 申请日: | 2021-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN216528928U | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 金津;戴军;吴廷斌;杨欣;赵东旭 | 申请(专利权)人: | 元能微电子科技南通有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李艾 |
| 地址: | 226000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 氧化 成型 设备 | ||
1.一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:包括,
氧化腔,所述氧化腔内设有传输轨道,所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端;
隔板,至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元;
加热单元,所述加热单元设置在所述氧化腔单元内;
通氧管,所述通氧管设置在所述氧化腔单元内,所述通氧管的表面具有通氧孔;
硅片通过所述传输轨道依次输入所述氧化腔单元内,经所述通氧孔释放的氧气和所述加热单元释放的热量反应至其表面形成氧化膜后输出。
2.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:至少两个所述通氧管设置在所述氧化腔单元沿硅片传输方向的不同侧,所述通氧管的延伸端延伸至所述氧化腔单元内且其延伸端封闭。
3.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:多个所述通氧孔绕所述通氧管圆周分布。
4.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:所述加热单元包括红外灯管,多个所述红外灯管位于所述氧化腔单元内的底部。
5.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:所述隔板包括隔热层和封尘层,所述封尘层与所述隔热层连接且位于所述隔热层朝向所述氧化腔单元的两侧。
6.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:所述传输轨道包括传动轴和驱动单元,多个所述传动轴依次设置且均与所述驱动单元连接,位于每个所述氧化腔单元内的传动轴的轨道数量为5-10个。
7.根据权利要求1所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:所述氧化腔包括传输封闭部、侧封闭部和上下封闭部,所述传输封闭部位于所述传输轨道的输入端和输出端且具有供硅片穿过的通槽,所述侧封闭部位于所述传输轨道的两侧,所述上下封闭部位于所述传输轨道的上方和下方,所述传输封闭部、侧封闭部和上封闭件相互连接形成腔体。
8.根据权利要求7所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:所述侧封闭部包括隔热件和支撑件,所述隔热件与所述支撑件连接,且所述隔热件位于靠近所述氧化腔单元一侧。
9.根据权利要求7所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:所述上下封闭部包括上封闭件和下封闭件,所述上封闭件、下封闭件分别位于所述传输轨道的上方和下方,所述上封闭件与所述传输封闭部和侧封闭部均活动连接。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种硅片氧化膜成型设备,其特征在于:还包括预热腔和冷却腔,所述预热腔和冷却腔均与所述氧化腔连通且通过所述隔板间隔,所述预热腔位于所述氧化腔的输入端,所述冷却腔位于所述氧化腔的输出端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





