[实用新型]面板加工设备有效
| 申请号: | 202122824776.3 | 申请日: | 2021-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN216250652U | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 郑泰浚 | 申请(专利权)人: | 乐金显示光电科技(中国)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 陈小龙 |
| 地址: | 510530 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 面板 加工 设备 | ||
本实用新型公开一种面板加工设备,该面板加工设备包括真空壳体、扩散器、背板和连接件,扩散器和背板均设置在真空壳体内,且扩散器和背板间隔设置,扩散器的两端通过支撑杆与真空壳体的内壁相连,背板的两端与真空壳体的内壁相连,扩散器的两端与真空壳体的内壁相连,背板的两端与真空壳体的内壁相连,连接件包括限位部和连接部,限位部止抵在背板上,连接部穿过背板与扩散器相连且连接部与扩散器连接的位置与扩散器的端部间隔设置。该面板加工设备的扩散器的稳定性较好,能够较好地保持水平状态,确保了面板加工设备真空壳体内部工艺气体的均匀性,提升了蚀刻质量。
技术领域
本实用新型涉及面板加工设备领域,尤其涉及一种面板加工设备。
背景技术
如图1所示,面板加工设备通常包括真空壳体1’和设在真空壳体1’内的背板4’和下电极2’,背板4’和下电极2’之间设有用于实现气体扩散的扩散器3’,扩散器3’能够使得通入真空壳体1’内的工艺气体均匀地扩散,从而保证放置在下电极2’上的面板的蚀刻效果。目前的扩散器3’的两端通过支撑杆5’连接在真空壳体1’的内壁上。现有技术存在以下缺陷:当扩散器3’的尺寸较小时扩散器3’能够较好地保证水平状态,但是当扩散器3’的尺寸较大时,由于重力的影响,扩散器3’的中部就会出现下垂的现象。而中部下垂的扩散器3’对工艺气体的扩散效果就会降低,降低了工艺气体的均匀度,从而影响了面板的蚀刻质量。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种面板加工设备,该面板加工设备的扩散器的稳定性较好,能够较好地保持水平状态,确保了面板加工设备真空壳体内部工艺气体的均匀性,提升了蚀刻质量。
为实现上述技术效果,本实用新型的技术方案如下:
提供一种面板加工设备,包括真空壳体、扩散器和背板,所述扩散器和所述背板均设在所述真空壳体内,且所述扩散器和所述背板间隔设置,所述扩散器的两端通过支撑杆与所述真空壳体的内壁相连,所述背板的两端与所述真空壳体的内壁相连,还包括:连接件,所述连接件包括限位部和连接部,所述限位部止抵在所述背板上,所述连接部穿过所述背板与所述扩散器相连,且所述连接部与所述扩散器的连接的位置与所述扩散器的端部间隔设置。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述背板背离所述扩散器的一面上设有台阶孔,所述台阶孔包括依次连接连通的第一孔和第二孔,所述第一孔的尺寸大于所述第二孔的尺寸,所述第一孔和所述第二孔之间形成台阶,所述限位部设在所述第一孔内,所述连接部穿过所述第二孔与所述扩散器相连。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述限位部和所述台阶之间设有垫片。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述垫片具有容纳槽,所述限位部至少部分设在所述容纳槽内。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述面板加工设备还包括密封帽,所述密封帽连接在所述背板上且所述密封帽罩设在所述限位部的外部。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述密封帽和所述背板之间设有密封圈。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述密封帽朝向所述背板的一侧设有凸起部,所述密封圈套设在所述凸起部上。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述密封帽朝向所述背板的一侧设有密封槽,所述密封圈安装在所述密封槽内。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述扩散器包括本体和环绕所述本体设置的连接翻边,所述本体上设有扩散孔,所述连接翻边连接在所述背板上。
作为面板加工设备的一种优选方案,所述连接翻边通过固定件连接在所述背板上。
本实施例的面板加工设备的有益效果:增设的连接件能够提升扩散器的连接稳定性,即便扩散器的尺寸很大,连接件也能起到拉住扩散器,避免出现扩散器下垂的现象,使得扩散器的稳定性较好,能够较好地保持水平状态,确保了面板加工设备真空壳体内部工艺气体的均匀性,提升了蚀刻质量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





