[实用新型]一种显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 202122604972.X | 申请日: | 2021-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN217035640U | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 董向丹;胡明;樊聪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 姚楠 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其中,包括:
衬底基板,所述显示面板具有贯穿所述衬底基板厚度方向的通孔,所述衬底基板具有显示区以及位于所述显示区和所述通孔之间的通孔封装区;
第一源漏金属层,位于所述衬底基板的一侧;
第二源漏金属层,位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧;
至少一个隔离柱,位于所述衬底基板的一侧,且位于所述通孔封装区,且围绕所述通孔设置;其中,所述隔离柱与所述第二源漏金属层异层设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述隔离柱与位于所述衬底基板和所述第二源漏金属层之间的至少一个膜层同层同材料设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述隔离柱与所述第一源漏金属层同层同材料设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,还包括:位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层,以及位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极;所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠,所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,还包括:位于所述第二源漏金属层和所述第一源漏金属层之间的第一钝化层,以及位于所述第一钝化层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层;所述第一平坦层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠,所述第一钝化层覆盖所述通孔封装区,且所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,还包括:位于所述透明走线层和所述阳极之间的第二钝化层,所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其中,还包括:位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层,位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极,以及位于所述透明走线层和所述阳极之间的第一膜层;所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠,所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠;
所述隔离柱与所述第一膜层同层同材料设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述第一膜层的材料与所述第一源漏金属层的材料相同,或所述第一膜层的材料为负性光阻。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,还包括:位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板一侧的至少一层透明走线层,位于所述透明走线层远离所述衬底基板一侧的阳极,位于所述透明走线层和所述第二源漏金属层之间的第二平坦层,以及位于所述第二源漏金属层和所述第二平坦层之间的负性光阻层;所述透明走线层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠,所述阳极在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠;
所述隔离柱与所述负性光阻层同层同材料设置。
10.根据权利要求7-9任一项所述的显示面板,其中,还包括:位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其中,当所述隔离柱的材料为负性光阻时,还包括:位于所述第一平坦层和所述第一源漏金属层之间的第一钝化层,所述第一钝化层覆盖所述通孔封装区,且所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述隔离柱在所述衬底基板上的正投影不交叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





