[实用新型]红外-多色上转化成像焦平面器件有效

专利信息
申请号: 202122589009.9 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN216563136U 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 唐鑫;牟鸽;郝群;陈梦璐;温崇 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/144
代理公司: 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 代理人: 吴崇
地址: 100086 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 红外 多色 转化 成像 平面 器件
【权利要求书】:

1.一种红外-多色上转化成像焦平面器件,其特征在于,包括量子点红外光电探测器与量子点发光二极管;

所述量子点红外光电探测器与所述量子点发光二极管通过中间导电层串联连接;

且,所述量子点红外光探测器用于探测不同波段的红外光;对应的,所述量子点发光二极管用于发出至少两种不同颜色的可见光。

2.根据权利要求1所述的焦平面器件,其特征在于,所述量子点发光二极管包括导电基底层以及在所述导电基底层朝向所述量子点红外光电探测器一侧层叠设置的电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和空穴注入层;

所述中间导电层位于所述空穴注入层背离所述导电基底层的一侧;

所述量子点红外光电探测器设置于所述中间导电层背离所述量子点发光二极管的一侧,且包括沿远离所述中间导电层的方向层叠设置的像素化的红外量子点层和电极层。

3.根据权利要求2所述的焦平面器件,其特征在于,所述电子传输层的厚度为20nm~40nm;

所述量子点发光层的厚度为15nm~25nm;

所述空穴传输层的厚度为200nm~400nm;

所述空穴注入层的厚度为50nm~200nm;

所述中间导电层的厚度为300nm~500nm;

所述红外量子点层的厚度为200nm-1μm;

所述电极层的厚度为100nm~400nm。

4.根据权利要求2所述的焦平面器件,其特征在于,所述红外量子点层和所述量子点发光层设置为对应的阵列像元结构;

设置为阵列像元结构的红外量子点层用于对不同波段的红外光响应,而使所述量子发光层的像元发出不同颜色的可见光。

5.根据权利要求4所述的焦平面器件,其特征在于,所述阵列像元结构的红外量子点层包括第一探测像元、第二探测像元和第三探测像元;

所述第一探测像元用于探测第一波段的红外光,所述第二探测像元用于探测第二波段的红外光,所述第三探测像元用于探测第三波段的红外光;

所述第一波段的波长范围为0.7μm~2.5μm;

所述第二波段的波长范围为3.0μm~5.0μm;

所述第三波段的波长范围为8.0μm~12.0μm。

6.根据权利要求5所述的焦平面器件,其特征在于,所述阵列像元结构的量子点发光层包括对应的第一发光像元、第二发光像元和第三发光像元;

所述第一发光像元对应于所述第一探测像元,用于发出第一颜色的可见光;

所述第二发光像元对应于所述第二探测像元,用于发出第二颜色的可见光;

所述第三发光像元对应于所述第三探测像元,用于发出第三颜色的可见光;

所述第一颜色、所述第二颜色和所述第三颜色各不相同,以实现彩色显示。

7.根据权利要求4所述的焦平面器件,其特征在于,所述中间导电层对应设置为阵列像元结构,以实现对应像元各自导电连接。

8.根据权利要求4所述的焦平面器件,其特征在于,所述电子传输层、所述空穴传输层、所述空穴注入层和所述电极层均为整层结构,被不同的阵列像元结构共用。

9.根据权利要求2所述的焦平面器件,其特征在于,所述量子点发光层和所述红外量子点层均为采用掩膜喷涂、打印、掩膜蒸镀或者光刻沉积形成的像素化的功能膜层。

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