[实用新型]垂直腔面发射激光器阵列有效
| 申请号: | 202122220410.5 | 申请日: | 2021-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN215418967U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
| 发明(设计)人: | 李浩 | 申请(专利权)人: | 无锡神州高芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
| 代理公司: | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人: | 胡留华 |
| 地址: | 214101 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 发射 激光器 阵列 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:包括半导体层以及形成于一个半导体层上的若干阵列单元,每个阵列单元均存在氧化沟槽、台面、环以及出光面,出光面存在有电极,台面中设有氧化层,氧化层内存在出光孔,所述阵列单元中至少部分所述阵列单元的氧化沟槽、台面、环、电极四者中的任意一者或多者的形状为不规则形状以使所述出光孔的形成不规则形状,且不同的所述阵列单元的所述出光孔的形状彼此不同。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:所述不规则形状为非对称的形状。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:所述阵列单元中至少一个阵列单元的氧化沟槽和/或台面的内周轮廓为不规则环形。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:所述氧化沟槽为连续的环形,并且所述氧化沟槽的内周轮廓是不规则环形。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:位于同一个阵列单元上的氧化沟槽的局部区域的形状与其余区域的形状不同。
6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:所述氧化沟槽整体呈环形并包括间隔设置的多个片段,其中至少两个片段的形状不同。
7.根据权利要求5或6所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:所述形状不同包括尺寸不同、长度尺寸与宽度尺寸的比例不同。
8.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:所述氧化沟槽整体呈环形并包括间隔设置的多个片段,其中至少一片段和与之相邻的两个片段之间的距离不同。
9.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:至少两个相邻的所述阵列单元具有相同的结构且各自均具有沿径向方向延伸的中心线,且彼此的沿径向方向延伸的中心线不互相平行。
10.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:至少两个相邻的所述阵列单元的氧化沟槽、台面、环、电极四者中的任意一者或多者形状互不相同。
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