[实用新型]动态随机存取存储器

说明书

本实用新型提供一种动态随机存取存储器，包括：衬底及位于所述衬底之上的位线结构，其中，所述位线结构自所述衬底向上依次包括金属硅化物层、导电层及硬掩膜层。本实用新型提供的动态随机存取存储器，在位线结构中形成取代硅层的金属硅化物层，降低了位线电阻，提高了器件效能。

技术领域

本实用新型是关于一种存储器，特别是一种动态随机存取存储器。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)属于一种挥发性储器，包含由复数个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array area)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各存储单元包含一晶体管(transistor)电连接至一电容器(capacitor)，由该晶体管控制该电容器中电荷的存储或释放来达到存储数据的目的。控制电路通过横跨阵列区并与各存储单元电连接的字线(word line,WL)与位线(bit line,BL)，可定位至每一存储单元以控制其数据的存取。

随着世代演进，存储单元的尺寸被逐渐微缩以在单位面积内获得更高的集密度和存储容量。但尺寸的微缩会导致存储器的线路的电阻增加而影响到效能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种动态随机存取存储器，以降低位线电阻，提升器件效能。

为达到上述目的，本实用新型提供一种动态随机存取存储器，包括：

衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区；

位线结构，位于所述衬底之上，其中，所述位线结构自所述衬底向上依次包括金属硅化物层、导电层及硬掩膜层。

可选的，所述金属硅化物层与所述导电层的底部完全接触。

可选的，所述动态随机存取存储器还包括:

介电层，位于所述位线结构与所述衬底之间；以及

多个凹陷区域，穿过所述介电层并显露出部分所述有源区和部分所述隔离结构，其中，所述金属硅化物层与所述凹陷区域内的所述有源区120直接接触。

可选的，部分所述金属硅化物层与所述凹陷区域内的所述隔离结构直接接触。

可选的，所述金属硅化物层包括向下伸入所述衬底的竖直延伸部，所述竖直延伸部的凹陷深度大于所述凹陷区域的凹陷深度。

可选的，所述竖直延伸部与所述隔离结构直接接触。

可选的，还包括位于所述位线结构的侧壁上的侧墙间隔层，其中，所述金属硅化物层被所述侧墙间隔层覆盖。

可选的，所述侧墙间隔层包括第一间隔层、第二间隔层及第三间隔层，其中，

所述第一间隔层覆盖所述位线结构的侧壁及所述凹陷区域的内壁；

所述第二间隔层填充所述凹陷区域；

所述第三间隔层覆盖所述第一间隔层的部分侧壁并与所述第二间隔层的顶表面接触。

可选的，所述第一间隔层同时接触所述有源区、所述隔离结构及所述金属硅化物层。

可选的，所述第二间隔层的顶表面低于所述金属硅化物层的顶端。

可选的，所述第三间隔层的顶部高于所述硬掩膜层的底部。

综上，本实用新型提供的动态随机存取存储器，在位线结构中包括金属硅化物层，降低了位线电阻，提高了器件效能。

附图说明

图1为本实用新型一实施例提供的动态随机存取存储器的制作方法的流程图；