[实用新型]动态随机存取存储器

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区；

位线结构，位于所述衬底之上，其中，所述位线结构自所述衬底向上依次包括金属硅化物层、导电层及硬掩膜层，所述导电层的底部完全接触所述金属硅化物层。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括:

介电层，位于所述位线结构与所述衬底之间；以及

多个凹陷区域，穿过所述介电层并显露出部分所述有源区和部分所述隔离结构，其中，所述金属硅化物层与所述凹陷区域内的所述有源区直接接触。

3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，部分所述金属硅化物层与所述凹陷区域内的所述隔离结构直接接触。

4.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述金属硅化物层包括向下伸入所述衬底的竖直延伸部，所述竖直延伸部的凹陷深度大于所述凹陷区域的凹陷深度。

5.根据权利要求4所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述竖直延伸部与所述隔离结构直接接触。

6.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括位于所述位线结构的侧壁上的侧墙间隔层，其中，所述金属硅化物层被所述侧墙间隔层覆盖。

7.根据权利要求6所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述侧墙间隔层包括第一间隔层、第二间隔层及第三间隔层，其中，

所述第一间隔层覆盖所述位线结构的侧壁及所述凹陷区域的内壁；

所述第二间隔层填充所述凹陷区域；

所述第三间隔层覆盖所述第一间隔层的部分侧壁并与所述第二间隔层的顶表面接触。

8.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一间隔层同时接触所述有源区、所述隔离结构及所述金属硅化物层。

9.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二间隔层的顶表面低于所述金属硅化物层的顶端。

10.根据权利要求7所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第三间隔层的顶部高于所述硬掩膜层的底部。