[实用新型]一种单向TVS器件及其封装结构

权利要求书

1.一种单向TVS器件，其特征在于，所述单向TVS器件包括至少两个TVS芯片，所述至少两个TVS芯片依次串联，且所述至少两个TVS芯片中包括目标TVS芯片；其中，

所述目标TVS芯片的电压大于阈值，且所述目标TVS芯片包括TVS结构与三极管，所述TVS结构与三极管并联。

2.如权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于，所述目标TVS芯片包括第一N+层，第一P+层、第一P-层以及第二N+层，所述第一N+层与所述第一P+层位于同一层，所述第一P-层位于所述第一N+层、所述第一P+层的一侧，所述第二N+层位于所述第一P-层的一侧；其中，

所述第一N+层、所述第一P-层以及所述第二N+层组成三极管，所述第一P+层、所述第一P-层以及所述第二N+层组成TVS结构。

3.如权利要求2所述的单向TVS器件，其特征在于，所述目标TVS芯片还包括第一金属层、第二金属层以及钝化层，所述第一金属层位于所述第一N+层、所述第一P+层的一侧，所述第二金属层位于所述第二N+层的一侧，且所述第一P-层、所述第二N+层的端部设置有凹槽，所述钝化层置于所述凹槽内。

4.如权利要求1-3任一项所述的单向TVS器件，其特征在于，所述三极管的基极与所述TVS结构的阳极连接，所述三极管的集电极与所述TVS结构的阴极连接。

5.如权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于，所述阈值大于或等于18V。

6.如权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于，所述单向TVS器件包括第一TVS芯片与第二TVS芯片，所述第一TVS芯片与所述第二TVS芯片串联；其中，所述第一TVS芯片和/或所述第二TVS芯片为目标TVS芯片。

7.如权利要求6所述的单向TVS器件，其特征在于，所述第一TVS芯片的电压小于阈值，所述第二TVS芯片的电压大于阈值，且所述第二TVS芯片作为目标TVS芯片。

8.如权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于，所述单向TVS器件包括非目标TVS芯片，所述非目标TVS芯片的电压小于阈值；其中，

所述非目标TVS芯片包括第二P+层、第二P-层以及第三N+层，所述第二P+层、所述第二P-层以及所述第三N+层逐层连接。

9.如权利要求1所述的单向TVS器件，其特征在于，当所述TVS芯片的数量大于两个时，所述至少两个TVS芯片中部分或全部为目标TVS芯片。

10.一种TVS封装结构，其特征在于，所述TVS封装结构包括如权利要求1至9任意一项所述的单向TVS器件。