[实用新型]一种帧积分光电成像像元电路有效
| 申请号: | 202121332487.5 | 申请日: | 2021-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN215647075U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 李凯;李谋涛 | 申请(专利权)人: | 武汉微智芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 吴静 |
| 地址: | 430073 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 积分 光电 成像 电路 | ||
本实用新型提供一种帧积分光电成像像元电路,包括参考元电阻ROB、用来接收各波段光辐射的有效元电阻RA、RA的偏置MOS管PMOS、ROB的偏置MOS管NMOS、时序控制开关电路、积分电容C,所述偏置MOS管PMOS的漏极和所述偏置MOS管NMOS的漏极相连,所述偏置MOS管PMOS的源极通过有效元电阻RA与偏置电压VDETP相连,所述偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电压Vgsk相连,所述偏置MOS管NMOS的源极通过参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连,所述偏置MOS管NMOS的栅极与偏置电压Vgfid相连,所述偏置MOS管PMOS的漏极和所述偏置MOS管NMOS的漏极均通过时序控制开关电路与积分电容C相连。
技术领域
本实用新型涉及光电成像领域,尤其涉及一种帧积分光电成像像元电路。
背景技术
目前光电成像探测器按扫描方式可分行积分探测器和帧积分探测器两大类。
目前国内外大多公司的光电成像探测器基本都采取行积分的方式,其优点是,结构易于实现,因为是行积分,只用一套列电路可以逐行分时完成面阵内传感器的光电流采集、积分等任务。
行积分探测器缺点非常明显,1)行积分探测在背景辐射快速变化的时候会有行扫描的拖影出现,会出现无法正常成像或成像模糊的情况。2)行积分由于单列共用一套电路,电路较复杂,占用面积大,无法直接放在单元像素面积内;3)由于有效元电阻值偏小,造成单列功耗偏大,行积分有效元电阻也不可用在单元像素积分结构。
因此有必要设计一种帧积分光电成像像元电路,以克服上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷,提供了一种帧积分光电成像像元电路,至少解决了现有技术中的部分问题。
本实用新型是这样实现的:
本实用新型提供一种帧积分光电成像像元电路,包括偏置电路、时序控制开关电路、积分电容C,所述偏置电路包括有效元偏置电路和参考元偏置电路,所述有效元偏置电路的偏置MOS管的漏极与所述参考元偏置电路的偏置MOS管的漏极均通过时序控制开关电路与积分电容C相连。
作为优选,所述有效元偏置电路包括用来接收各波段光辐射的有效元电阻RA、RA的偏置MOS管PMOS,所述偏置MOS管PMOS的源极通过有效元电阻RA与偏置电压VDETP相连,所述偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电压Vgsk相连,所述偏置MOS管PMOS的漏极通过时序控制开关电路与积分电容C相连。
作为优选,所述参考元偏置电路包括参考元电阻ROB、ROB的偏置MOS管NMOS,所述偏置MOS管NMOS的源极通过参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连,所述偏置MOS管NMOS的栅极与偏置电压Vgfid相连,所述偏置MOS管NMOS的漏极通过时序控制开关电路与积分电容C相连。
作为优选,所述时序控制开关电路包括时序控制开关S1、时序控制开关S2,所述偏置MOS管PMOS的漏极和所述偏置MOS管NMOS的漏极依次串联时序控制开关S1、时序控制开关S2后与缓冲器buffer相连,所述积分电容C与所述时序控制开关S2的输入端相连。
作为优选,所述时序控制开关电路还包括时序控制开关S1B,所述时序控制开关S1B的一端与时序控制开关S1的输入端相连,所述时序控制开关S1B的另一端与积分电容消隐期复位电压VREF相连。
作为优选,所述时序控制开关电路还包括时序控制开关S3,所述时序控制开关S3的一端与时序控制开关S1的输出端相连,所述时序控制开关S3的另一端与积分电容消隐期复位电压VREF相连。
作为优选,参考元电阻ROB和有效元电阻RA结构相同,阻值大小一致。
作为优选,参考元电阻ROB位于有效元电阻RA物理结构的下方。
作为优选,所述偏置电压VDETN接一个负电压。
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