[实用新型]一种双极化介质谐振器天线及通信设备

说明书

本实用新型提供了一种双极化介质谐振器天线及通信设备，通过在介质层与介质谐振块之间增加去耦合网络，并且梳状去耦合网络两端对应的位置上分别设置有所述第一微带和所述第二微带，且所述第一微带与第二微带之间的梳状齿包括多种长度，使得第一微带与介质谐振块耦合的同时也与梳状去耦合网络中的横向部和多个纵向部产生耦合，而第二微带与介质谐振块耦合的同时也与梳状去耦合网络中的横向部和多个纵向部产生耦合，因此增加了第一微带和第二微带的耦合路径，从而抵消了由第一微带和第二微带构成的两个天线单元间原始的表面电流，达到提高双极化天线端口之间的隔离度的效果。

技术领域

本实用新型涉及天线技术领域，特别是涉及一种双极化介质谐振器天线及通信设备。

背景技术

5G作为全球业界的研发焦点，发展5G技术制定5G标准已经成为业界共识。随着5G技术的发展，对于5G天线模组的要求也越来越高。目前，业界采用以射频芯片与基板天线结合成封装天线(Antenna-in-Package，AIP)的方式来降低射频系统损耗。

并且根据3GPP TR38.817终端射频技术报告可知，天线双极化特效能够给射频链路增加3dB增益，但采用双极化的天线，不同微带的馈电端口之间会产生干扰，影响天线的性能。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种双极化介质谐振器天线，提高双极化天线端口之间的隔离度。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

包括梳状去耦合网络、第一微带、第二微带、介质层和介质谐振块；

所述介质层的一侧设置有所述梳状去耦合网络，另一侧设置有所述第一微带和所述第二微带；所述梳状去耦合网络远离所述介质层的一侧上设置有所述介质谐振块；

所述梳状去耦合网络两端对应的位置上分别设置有所述第一微带和所述第二微带，且所述第一微带与第二微带之间的梳状齿包括多种长度。

进一步地，所述梳状去耦合网络包括一个横向部和多个纵向部，多个所述纵向部形成所述梳状齿；

所述梳状去耦合网络在介质层上的投影位于所述第一微带和所述第二微带之间；

所述第一微带的输出端设置于所述梳状去耦合网络纵向部之间的第一间隙内；

所述第二微带的输出端设置于所述梳状去耦合网络纵向部之间的第二间隙内。

进一步地，多个所述纵向部沿所述横向部的首端到尾端依次排列，并关于所述横向部的中垂线对称。

进一步地，所述介质谐振块呈“T”型，并设置在所述梳状去耦合网络远离所述介质层的一侧上。

进一步地，还包括天线地板；

所述天线地板设置在所述介质层的所述一侧，并与所述梳状去耦合网络分别位于所述介质层的所述一侧的两端。

进一步地，所述天线地板呈“凹”字型；

所述“凹”字型天线地板的凹陷的宽度与所述梳状齿的宽度相同，并且所述凹陷与所述梳状齿相对设置。

进一步地，所述第一微带和所述第二微带呈“π”状分布；

所述第一微带的一端与所述介质层靠近所述梳状去耦合网络的一侧垂直，另一端与所述介质层靠近所述天线地板的一侧垂直；

所述第二微带的一端与所述介质层靠近所述梳状去耦合网络的一侧垂直，另一端与所述介质层远离所述第一微带的一侧垂直。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的另一种技术方案：

一种通信设备，包括上述双极化介质谐振器天线。