[实用新型]耐电浆腐蚀的保护层

说明书

本实用新型提供一种耐电浆腐蚀的保护层，形成于一金属基板上，该抗电浆腐蚀的保护层包括一热阻障层及一耐电浆腐蚀层。热阻障层设置于该金属基板上。耐电浆腐蚀层设置于该热阻障层上。该热阻障层可降低电浆腔体在操作时的热胀冷缩现象，其有益效果是，避免电浆腔体与抗电浆腐蚀材料间因热膨胀系数不同所产生的应力，而使抗电浆腐蚀材料剥离的现象，以增加抗电浆保护膜层的稳定性，并降低电浆腐蚀电浆腔体的现象，减少机台维修保养频率。

技术领域

本实用新型系关于光电及半导体例如IC制造、液晶显示面板、发光二极管、微机电等产业需要应用电浆的制程，特别是干式蚀刻、物理气象沉积(PVD) 及电浆增益化学气象沉积(PE-CVD)等制程的技术领域，尤指应用于各式任一种光电及半导体产业干式蚀刻或者电浆辅助薄膜制程的可能暴露于电浆的内部部件的一种抗电浆膜层结构，该保护膜层用于提升上述制程良率及部件使用寿命。

背景技术

现行在电浆制程如RIE(Reactive Ion Etch)或PECVD(Plasma enhancedchemical vapor deposition)的环境下，其真空腔体或零部件是暴露于反应式电浆环境下，因此非常容易遭到侵蚀。

请参阅图1，图1所绘示为常见改善腐蚀的方式，在零部件10的阳极氧化层12上，以喷涂方式涂布一抗电浆腐蚀材料层11，例如钇铝石榴石 (Y3Al5O12)氧化钇(Y2O3)、氟化钇(YF3)、氟氧化钇(YOF)等抗电浆腐蚀材料，由于此等氧化物含有较重的金属原子，因此耐电浆侵蚀的能力较佳，特别是当形成某种晶格方向性结构(Texture structure)时，如藉由离子束电子枪蒸镀(IAD)让抗电浆侵蚀材料晶格的111方向延垂直基材表面排列，此系由细小的特定方向单晶结构所覆盖而成，其耐电浆侵蚀更佳。

然而，电浆制程是在高腐蚀性环境下进行，即便使用抗电浆腐蚀材料层 11防止铝合金基板13腐蚀。实际上，抗电浆腐蚀材料层11上具有晶界(Grain Boundary)及缺陷造成细微的裂缝，电浆能可仍经由此裂缝腐蚀铝合金基板 13，导致零部件10劣化。此外，电浆制程还是在高温环境(200oC～300oC) 下进行，而铝合金基板的热膨胀系数较大(23.2×10-6/K@20℃)，铝合金基板受热后膨胀便会扩张抗电浆腐蚀材料层11上的裂缝，使铝合金基板13 更容易受到电浆腐蚀。

因此，如何解决上述问题便是本领域具通常知识者值得去思量的。

实用新型内容

为解决金属基板热膨胀扩大抗电浆腐蚀材料层缝隙的问题，本实用新型乃于抗电浆侵蚀层与阳极处理层间，增加一低热导系数的热阻障层。其有益效果是，可减少金属基板的热膨胀现象，进一步提升膜层结构稳定及抗电浆腐蚀层耐蚀能力。其具体技术手段如下：

一种耐电浆腐蚀的保护层，形成于一金属基板上，该耐电浆腐蚀的保护层包括一热阻障层及一耐电浆腐蚀层。热阻障层设置于该金属基板上。耐电浆腐蚀层设置于该热阻障层上。

上述的耐电浆腐蚀的保护层，其特征在于，该金属基板还包括一阳极处理层，该热阻障层设置于该阳极处理层上。

上述的耐电浆腐蚀的保护层，其特征在于，该热阻障层的热传导系数为该阳极处理层的热传导系数的二分之一以下。

上述的耐电浆腐蚀的保护层，其特征在于，该热阻障层的热传导系数为该耐电浆腐蚀层的热传导系数的二分之一以下。

上述的耐电浆腐蚀的保护层，其特征在于，该热阻障层为非晶 (Amorphous)结构。

上述的耐电浆腐蚀的保护层，其特征在于，该热阻障层是选自钇(Y)、钆(Gd)、镱(Yb)氧化物所组成的群组与铌(Nb)、锆(Zr)、铝(Al)、铪 (Hf)氧化物所组成的群组。

上述的耐电浆腐蚀的保护层，其特征在于，该耐电浆腐蚀层选自铝(Al)、钇(Y)、铒(Er)、铑(Rh)的氧化物及镧系元素的氧化物、氮化物、硼化物及氟化物所组成的群组。