[实用新型]太阳能电池及其背面膜层结构、组件及系统

权利要求书

1.一种太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，包括在硅片背面依次沉积的钝化层、第一氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、及第二氧化硅层；

所述氮化硅层由不同折射率的多层氮化硅膜组成；

依序排布的各层氮化硅膜、所述氮氧化硅层、及所述第二氧化硅层的折射率依次降低。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述氮化硅层包括折射率依次降低的至少三层氮化硅膜，且折射率最低的氮化硅膜的折射率分布在氮化硅化学计量比下所对应的折射率上下0.05的范围内。

3.如权利要求1所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的折射率与所述第二氧化硅层的折射率相同，且所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层的折射率分布在氧化硅的化学计量比下所对应的折射率上下0.05的范围内。

4.如权利要求1所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述氮氧化硅层包括至少一层氮氧化硅膜。

5.如权利要求3所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为12-20nm，折射率为1.45-1.52；

所述第二氧化硅层的厚度为9-17nm，折射率为1.45-1.52。

6.如权利要求2所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述氮化硅层包括折射率依次降低的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜、第四氮化硅膜、及第五氮化硅膜；

所述第一氮化硅膜的厚度为20-30nm，折射率为2.22-2.30；

所述第二氮化硅膜的厚度为5-25nm，折射率为2.1-2.15；

所述第三氮化硅膜的厚度为5-25nm，折射率为2.05-2.09；

所述第四氮化硅膜的厚度为5-25nm，折射率为2.0-2.04；

所述第五氮化硅膜的厚度为5-25nm，折射率为1.96-2.0。

7.如权利要求4所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述氮氧化硅层包括折射率依次降低的第一氮氧化硅膜和第二氮氧化硅膜；

所述第一氮氧化硅膜的厚度为5-25nm，折射率为1.7-1.8；

所述第二氮氧化硅膜的厚度为5-25nm，折射率为1.55-1.7。

8.如权利要求1所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述钝化层为氧化铝层，所述氧化铝层的厚度为5-20nm，折射率为1.6-1.7。

9.如权利要求1所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述硅片背面所沉积的钝化层、第一氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、及第二氧化硅层相加的膜层总厚度为80-105nm，折射率为2.06-2.18。

10.如权利要求1所述的太阳能电池的背面膜层结构，其特征在于，所述硅片为经过刻蚀、以及在背表面经过酸抛或者碱抛后制作形成的硅片。

11.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅片、及在所述硅片背面沉积的如权利要求1-10任一项所述的背面膜层结构。

12.一种太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池组件根据权利要求11所述的太阳能电池分别进行分选、测试、及封装后制作得到。

13.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求12所述的太阳能电池组件。