[实用新型]一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路有效
| 申请号： | 202120649543.1 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN214707539U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 邹扬;赵隆冬;朱晓辉;袁宝山;徐成宝;高东辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan sic 器件 高频 移相全桥软 开关 dc 变换 电路 | ||
1.一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，包括次级带中间抽头的功率变压器，其特征在于，功率变压器的初级侧连接有移相全桥软开关电路，次级侧连接有同步整流电路；所述移相全桥软开关电路采用GaN晶体管作为开关管，采用SiC二极管作为箝位二极管。
2.根据权利要求1所述的一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，其特征在于，所述同步整流电路采用GaN晶体管作为同步整流管。
3.根据权利要求2所述的一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，其特征在于，所述同步整流电路为全波同步整流电路。
4.根据权利要求1所述的一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，其特征在于，还包括
为移相全桥软开关电路的开关管提供驱动信号的数字隔离器和初级PWM驱动器；
为同步整流电路的同步整流管提供驱动信号的次级PWM驱动器；
从DC-DC变换电路的输出端获取电压采样信号的输出电压采样调理电路；
从DC-DC变换电路的输入端获取电流采样信号的输入电流采样调理电路；
所述初级PWM驱动器与数字隔离器连接，所述数字隔离器、输出电压采样调理电路、输入电流采样调理电路以及次级PWM驱动器均与数字控制器连接。
5.根据权利要求2所述的一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，其特征在于，所述开关管选用GS66508型号的GaN晶体管。
6.根据权利要求5所述的一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，其特征在于，所述同步整流管选用EPC2033型号的GaN晶体管。
7.根据权利要求6所述的一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，其特征在于，所述箝位二极管选用IDD08SG60C型号的SiC二极管。
8.根据权利要求7所述的一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路，其特征在于，所述功率变压器选用TPW33磁材的ER31.5/12.7/20.3磁芯，初次级匝数为15:2:2。
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