[实用新型]Micro-LED器件

权利要求书

1.一种Micro-LED器件，其特征在于，所述Micro-LED器件包括：

衬底、外延层、透明电流扩展层、分布式布拉格反射镜绝缘层、钝化层、第一电极、第二电级及键合层；

在所述衬底一侧外延生长有所述外延层；

在所述外延层一侧沉积有所述透明电流扩展层，且所述透明电流扩展层及所述外延层具有从所述透明电流扩展层朝向所述衬底方向开始刻蚀且刻蚀至部分外延层的刻蚀区域；

所述分布式布拉格反射镜绝缘层从所述衬底与所述外延层相交处开始沿所述外延层朝向所述透明电流扩展层方向延伸并覆盖所述透明电流扩展层，且覆盖形成所述刻蚀区域的侧壁及底壁，所述钝化层覆盖所述分布式布拉格反射镜绝缘层，且从所述钝化层朝向所述衬底方向刻蚀形成第一电级孔及第二电级孔，其中，所述第一电级孔刻蚀至所述底壁，所述第二电级孔刻蚀至所述透明电流扩展层；

所述第一电级及第二电级分别从所述第一电级孔内和第二电极孔内朝远离所述衬底的方向延伸并分别覆盖所述钝化层一侧；

所述键合层分别沉积在所述第一电极及所述第二电级一侧。

2.根据权利要求1所述Micro-LED器件，其特征在于，所述外延层包括从所述衬底一侧逐层叠加的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、MQW层及P-GaN层，其中，所述刻蚀区域为从所述透明电流扩展层朝向所述衬底方向开始刻蚀且刻蚀至所述N-GaN层形成的。

3.根据权利要求2所述Micro-LED器件，其特征在于，所述第一电级为N电极，所述第二电极为P电极，其中，所述N电极为所述第一电级在第一电极孔中接触N-GaN层形成，所述P电极为所述第二电级在第二电极孔中接触透明电流扩展层形成。

4.根据权利要求1所述Micro-LED器件，其特征在于，所述衬底材料包括蓝宝石衬底、GaN衬底或SiC衬底。

5.根据权利要求1所述Micro-LED器件，其特征在于，所述键合层材料包括钛铟合金。

6.根据权利要求1所述Micro-LED器件，其特征在于，所述钝化层材料包括SiN或SiO₂。

7.根据权利要求1所述Micro-LED器件，其特征在于，所述分布式布拉格反射镜绝缘层材料包括交替叠加的TiO₂和SiO₂。

8.根据权利要求1所述Micro-LED器件，其特征在于，所述透明电流扩展层材料包括ITO。

9.根据权利要求1所述Micro-LED器件，其特征在于，所述第一电极及所述第二电级材料包括钛金或者钛铝钛金。