[实用新型]图像传感器有效
| 申请号: | 202120370078.8 | 申请日: | 2021-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN214279979U | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
| 发明(设计)人: | 阿曼达·推伊·特朗·乌;S·伯萨克;U·博提格;斯坦利·米辛斯基 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王琳;马芬 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括像素组,其特征在于,所述像素组包括:
衰减像素;
未衰减像素;
给定颜色的滤色材料,所述给定颜色的滤色材料覆盖所述衰减像素和所述未衰减像素两者;
中性密度滤光器,所述中性密度滤光器覆盖所述衰减像素但不覆盖所述未衰减像素;和
微透镜,所述微透镜覆盖所述衰减像素的至少一部分和所述未衰减像素。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述微透镜被配置为将光从所述衰减像素重定向到所述未衰减像素,其中所述微透镜是第一微透镜,并且其中所述像素组包括:
在所述衰减像素上方形成的第二微透镜,其中所述第二微透镜小于所述第一微透镜。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述像素组包括第一滤色器元件和第二滤色器元件,所述第一滤色器元件和所述第二滤色器元件包括所述给定颜色的所述滤色材料,并且其中所述第一滤色器元件和所述第二滤色器元件分别覆盖所述未衰减像素和所述衰减像素。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述中性密度滤光器形成在所述第二滤色器元件上方。
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述像素组包括:
平面化层,所述平面化层形成在所述中性密度滤光器上方;和
附加平面化层,所述附加平面化层插置在所述第一滤色器元件与所述平面化层之间。
6.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第二滤色器元件形成在所述中性密度滤光器上方。
7.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述像素组包括:
复合栅格,所述复合栅格将所述第一滤色器元件与所述第二滤色器元件分开。
8.一种图像传感器,包括像素组,其特征在于,所述像素组包括:
至少一个第一类型的像素,其中每个所述第一类型的像素包括光敏区域、滤色器元件和第一尺寸的微透镜;和
至少一个第二类型的像素,其中每个所述第二类型的像素包括光敏区域、滤色器元件、中性密度滤光器和小于所述第一尺寸的第二尺寸的微透镜。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中,对于每个所述第一类型的像素,所述滤色器元件是给定颜色,其中对于每个所述第二类型的像素,所述滤色器元件是所述给定颜色,并且其中除了所述第一尺寸的所述微透镜之外,每个所述第一类型的像素的所述光敏区域被一个所述第二尺寸的微透镜的至少一部分重叠。
10.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:
第一光敏区域;
第二光敏区域;
给定颜色的滤色器材料,所述给定颜色的滤色器材料与所述第一光敏区域和所述第二光敏区域两者重叠;
灰色滤光器材料,所述灰色滤光器材料与所述第二光敏区域重叠,其中所述第一光敏区域不被所述灰色滤光器材料重叠;
第一微透镜,所述第一微透镜与所述第一光敏区域重叠;和
第二微透镜,所述第二微透镜与所述第二光敏区域重叠并且小于所述第一微透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





