[实用新型]一种高温高压保护电路及光模块

说明书

本申请公开了一种高温高压保护电路及光模块，高温高压保护电路中MOS管的源极与输入端连接，漏极与负载连接。第一电阻、第二电阻与第三电阻控制第一三极管的开关。第一电阻、第二电阻、第三电阻与第一三极管组成的调控电路调节第二三极管的基极电压，调控电路、第四电阻、第五电阻和第六电阻控制第二三极管的开关，第二三极管的开关状态控制MOS管的开关。正常状态下，第一三极管工作于放大区，第二三极管工作于饱和区，此时MOS管的栅极处于低电平，MOS管源极与漏极导通。根据三极管的特性，当温度升高或输入端电压升高时，第二三极管的基极电压降低，第二三极管处于截止状态，MOS管的栅极处于高电平，MOS管断开，实现对负载的高温高压保护。

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种高温高压保护电路及光模块。

背景技术

当前的各类电子产品对输入电源的电压提出了要求，一旦输入电源的电压过高，将会对芯片造成不可恢复的损伤。除了对输入电源的电压有要求以外，还对工作温度有要求。温度过高同样会对芯片造成损伤。

现有技术中，电压的过压保护是采用保护芯片，通过检测输入电压的具体大小判断是否需要保护，当电压超过设定阈值时，断开输出，从而保护后端电路。温度的保护一般是利用温度传感器采集温度数据，传递给保护芯片，当温度过高时芯片断开输出，从而保护后端电路。

以上保护结构均需要额外的器件来获取电压或者温度信息，成本相对较高。

实用新型内容

本申请提供了一种高温高压保护电路，实现电子产品的高温高压保护。

为了解决上述技术问题，本申请实施例公开了如下技术方案：

本申请实施例公开了一种高温高压保护电路，包括：MOS管，其源极与输入端连接，漏极与负载连接；

第六电阻的一端与所述MOS管的源极连接，第六电阻的另一端与MOS管的栅极连接；

第一电阻，其第一端与输入端连接；

第二电阻，其第一端与所述第一电阻的第二端连接，第二端接地；

第三电阻，其第一端与输入端连接；

第四电阻，其第一端与所述第三电阻的第二端连接；

第五电阻，其第一端与所述第四电阻的第二端连接，第二端接地；

第一三极管，其基极设置于所述第一电阻与所述第二电阻之间，集电极设置于所述第三电阻与所述第四电阻之间，发射极接地连接；

第二三极管，其基极设置于所述第四电阻与所述第五电阻之间，集电极与所述MOS管的栅极连接，发射极接地连接。

与现有技术相比，本申请的有益效果为：

本申请公开了一种高温高压保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第一三极管、第二三极管和MOS管。其中：MOS管的源极与输入端连接，漏极与负载连接。第一电阻、第三电阻、第六电阻均与输入端连接。第一电阻、第二电阻串联后接地，第一三极管的基极设置于第一电阻与第二电阻之间，集电极设置于第三电阻与所述第四电阻之间，发射极接地连接。第一电阻、第二电阻与第三电阻控制第一三极管的开关。第三电阻、第四电阻、第五电阻依次串联后接地，第二三极管的基极设置于第四电阻与第五电阻之间，集电极与MOS管的栅极连接，发射极接地连接。第一电阻、第二电阻、第三电阻与第一三极管组成的调控电路调节第二三极管的基极电压，第二三极管的状态调节MOS管的开关。正常状态下，第一三极管工作于放大区，第二三极管工作于饱和区，此时MOS管的栅极处于低电平，MOS管源极与漏极导通。根据三极管的特性，当温度升高或输入端电压升高时，第二三极管的基极电压降低，第二三极管处于截止状态，MOS管的栅极处于高电平，MOS管断开，实现对负载的高温高压保护。